RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1 PMT5928E3/TR13	0.7350	RFQ	8066	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
JANTX1N3029CUR-1	37.3500	RFQ	8023	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3029		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
UZ7818	468.9900	RFQ	3946	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7818	Ear99	8541.10.0050	1					20 µA @ 12.9 V				18 V	3.5欧姆
1N4463US	11.4600	RFQ	4380	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4463USMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
JANTX1N4110UR-1/TR	8.6849	RFQ	4696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4110UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.15 V				16 V	100欧姆
CDLL4371A	5.9550	RFQ	6084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4371		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
Jan1n4480d	25.4550	RFQ	7455	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4480		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
CD4750A	1.8354	RFQ	3903	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4750A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1N4148UB2R	27.0900	RFQ	1818年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	1N4148	标准		UB2	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N4742ur/tr	3.6150	RFQ	6201	微芯片技术	MIL-PRF-19500	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-1N4742ur/tr	Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
1N5251A-1	2.0700	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5251A-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 16.2 V				22 v	29欧姆
1N4776	31.7100	RFQ	5075	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4776		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	200欧姆
JANS1N6874UTK2CS	608.4000	RFQ	6363	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANS1N6874UTK2CS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANS1N4971US	88.5000	RFQ	6	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4971		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V				36 V	11欧姆
SMBG5360AE3/TR13	1.1250	RFQ	3674	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5360		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 na @ 18 V				25 v	4欧姆
CDLL6024	2.7150	RFQ	1156	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6024				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDS5523BUR-1	-	RFQ	2724	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDS5523BUR-1	Ear99	8541.10.0050	1
SMAJ5940BE3/TR13	-	RFQ	7186	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5940		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
1N5361E3/TR8	2.6250	RFQ	6385	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆
1N4578-1	8.9400	RFQ	2479	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N4946US	12.9600	RFQ	1069	微芯片技术	-	大部分	积极的									-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n4496c	24.3600	RFQ	4288	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4496		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 160 V				200 v	1500欧姆
CDLL5524/tr	5.9052	RFQ	6534	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5524/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3 V				5.6 v	30欧姆
R20110	33.4500	RFQ	1969年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R20110			1
JANTXV1N4099C-1	23.1600	RFQ	7090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4099		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
SMBJ5340B/TR13	1.6650	RFQ	6502	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5340		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
JANTX1N2974RB	-	RFQ	9248	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	3欧姆
1N5248A/TR	3.6442	RFQ	2801	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5248A/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 13.3 V				18 V	21欧姆
1N5944BP/TR12	1.8900	RFQ	2331	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
JANTXV1N4976DUS/TR	51.2700	RFQ	7350	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4976DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V				56 v	35欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²