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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N1190	62.0700	RFQ	1411	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.4 V @ 110 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-
APT2X101DQ120J	27.6500	RFQ	7428	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1200 v	100a	3 V @ 100 A	385 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
CD4623V	4.1550	RFQ	7250	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD4623V	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
APT2X101DQ100J	25.9400	RFQ	1097	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1000 v	100a	2.7 V @ 100 A	290 ns	100 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C
JANTXV1N5536DUR-1	61.9050	RFQ	2397	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5536		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
JANTX1N3021C-1	21.9600	RFQ	3146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3021		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
LSM180GE3/TR13	0.6450	RFQ	6147	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					LSM180				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
JANTXV1N4962DUS/TR	33.1950	RFQ	8619	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4962DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 11.4 V				15 v	3.5欧姆
JANTXV1N3823AUR-1/TR	17.3299	RFQ	7050	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3823AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
SMBJ5373AE3/TR13	0.8100	RFQ	1034	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5373		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
1N6624/tr	12.0450	RFQ	6611	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6624/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		990 v		18 V @ 500 MA	60 ns	500 NA @ 900 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1月1N965DUR-1/tr	10.1080	RFQ	6500	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N965DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
1月1N983DUR-1	14.2500	RFQ	8711	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N983		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
JANTX1N4462D	29.2500	RFQ	8207	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4462		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		1 µA @ 4.5 V				7.5 v	2.5欧姆
JANTXV1N2993B	-	RFQ	2747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 32.7 V				43 V	12欧姆
JANTX1N986DUR-1	19.4700	RFQ	6054	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N986		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 84 V				110 v	750欧姆
1月1N4100-1	4.1100	RFQ	9114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4100			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
1N5274BE3/tr	3.0989	RFQ	4702	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5274BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 99 V				130 v	1100欧姆
CDLL5943D	11.7300	RFQ	8443	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5943		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
1N5536B	1.8150	RFQ	3271	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5536		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	103欧姆
UZ8213	22.4400	RFQ	4397	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8213	Ear99	8541.10.0050	1							500 NA @ 93.6 V				130 v	700欧姆
1N3022DUR-1	38.2800	RFQ	1486年	微芯片技术	-	包	积极的	±1％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3022		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载			到达不受影响	1N3022DUR-1M	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
JANTXV1N5538C-1	23.3700	RFQ	2190	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5538		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100欧姆
1N5371AE3/TR8	2.6250	RFQ	7861	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5371		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 43 V				60 V	40欧姆
CDLL4568AE3	14.2950	RFQ	8226	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4568AE3	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					200欧姆
R2130	33.4500	RFQ	6791	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R2130			1
HSM580G/TR13	2.0100	RFQ	9558	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	HSM580	肖特基		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		800 mv @ 5 a		250 µA @ 80 V	-55°C 〜175°C	5a	-
Jan1n6768r	-	RFQ	3408	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 40 V	-	8a	150pf @ 5V，1MHz
1N5223BUR-1	2.8650	RFQ	5745	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5223		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N4575A-1/TR	4.2600	RFQ	2062	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4575A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²