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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N981BUR-1	-	RFQ	1407	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N981		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
1N4469DUS/TR	28.6050	RFQ	1463年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载			到达不受影响	150-1N4469DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
jankca1n5518b	-	RFQ	4871	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N5518B	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	26欧姆
1N4568/tr	6.3000	RFQ	2010	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N4568/tr	Ear99	8541.10.0050	150							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
1N4766A-1	88.5300	RFQ	9740	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4766A-1	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 v	350欧姆
JAN1N6873UTK2CS	364.5450	RFQ	8686	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JAN1N6873UTK2CS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
1N5340A/TR8	2.6250	RFQ	7244	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
JANTX1N4990/TR	13.2600	RFQ	8789	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTX1N4990/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
SMAJ5936E3/TR13	0.6450	RFQ	4604	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5936		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1N2981A	36.9900	RFQ	1163	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2981		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 13 V				17 V	4欧姆
1N5991D/TR	4.7747	RFQ	9417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5991D/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	88欧姆
SMAJ5924BE3/TR13	0.6450	RFQ	5194	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5924		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
JANTXV1N5538D-1	29.2200	RFQ	7724	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5538		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100欧姆
JANTXV1N4104-1	-	RFQ	3199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTX1N5540D-1/TR	19.5776	RFQ	4537	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5540D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
1N4484	9.5850	RFQ	8747	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4484		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4484MS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 49.6 V				62 v	80欧姆
JANS1N5551US	106.3950	RFQ	4024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响	2266-JANS1N555551US	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.2 V @ 9 A	2 µs		-65°C〜175°C	3a	-
JANTXV1N3033CUR-1	46.1250	RFQ	4495	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3033		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
JANS1N4468C	207.1050	RFQ	2502	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 10.4 V				13 V	8欧姆
CDLL5819E3	9.2400	RFQ	4650	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL5819	肖特基		do-213ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1086-15189-mil	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1月1N6633	-	RFQ	9506	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V				3.6 v	2.5欧姆
JANTX1N3012B	538.8900	RFQ	2178	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V				160 v	200欧姆
SMBJ5347A/TR13	1.6350	RFQ	6400	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5347		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 7.2 V				10 v	2欧姆
JANTXV1N758AR-1	8.0700	RFQ	6586	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V				10 v	7欧姆
SMBJ5920B/TR13	1.5600	RFQ	1366	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5920		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
APT2X30D100J	24.9600	RFQ	6944	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X30	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1000 v	28a	2.3 V @ 30 A	290 ns	250 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C
1N6548	15.0450	RFQ	7704	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6548				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
JANTX1N973C-1/TR	4.7747	RFQ	7387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N973C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 25 V				33 V	58欧姆
JANTXV1N989DUR-1	-	RFQ	4560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1500欧姆
1N829A-1	8.5800	RFQ	110	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²