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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4751E3/TR13	0.8100	RFQ	3615	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4751		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
JANS1N4958DUS/TR	528.1050	RFQ	8881	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4958DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
1月1N941B-1	-	RFQ	9491	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
JANTX1N4494US	15.0600	RFQ	3372	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 128 V				160 v	1000欧姆
1n6331us	14.6400	RFQ	8941	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6331		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
JANTX1N4470	8.7450	RFQ	9654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4470		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
1 PMT4129CE3/TR13	0.4950	RFQ	3724	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4129		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V				62 v	250欧姆
CDS5226D-1/TR	-	RFQ	7703	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5226D-1/tr	Ear99	8541.10.0050	50
CD5357B	5.0673	RFQ	8215	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5357B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 15.2 V				20 v	3欧姆
JANS1N5812R	873.6000	RFQ	7869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
Janhca1n975b	8.5785	RFQ	4110	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n975b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	80欧姆
JANS1N4475D	258.8850	RFQ	4493	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
JANTXV1N6352	-	RFQ	8372	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V				150 v	1000欧姆
CD5241b	1.4497	RFQ	3353	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5241B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 8.4 V				11 V	22欧姆
JANTX1N4942	5.3550	RFQ	7166	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/359	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4942	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
SBR6045	126.8400	RFQ	2583	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	SBR6045	肖特基			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	600 mv @ 60 a		2 ma @ 45 V		60a	-
Jan1n486b	-	RFQ	2666	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	225 v	1 V @ 100 ma		50 NA @ 225 V	175°c （最大）	200mA	-
1N5939A	3.4050	RFQ	2952	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5939		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
CDLL5226D	8.4150	RFQ	2950	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5226D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANTX1N6485DUS	-	RFQ	1348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N5943BP/TR8	1.8900	RFQ	5966	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5943		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
1N2813RB	-	RFQ	8511	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2813		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	1.4欧姆
JANTX1N4115CUR-1/TR	21.7056	RFQ	7776	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4115CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
1N4615E3	2.9850	RFQ	2464	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4615E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
SMAJ4764AE3/TR13	0.6450	RFQ	8860	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4764		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 76 V				100 v	350欧姆
CDLL965BE3/tr	3.2100	RFQ	8057	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL965BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	295			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
Jan1n4134c-1/tr	9.4430	RFQ	9679	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4134C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
MNS1N6318US/TR	18.3900	RFQ	5889	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-MNS1N6318US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
1月1N5419	8.4300	RFQ	5002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5419	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N4619-1	59.3250	RFQ	1561年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²