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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4984DUS	429.5200	RFQ	8192	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4984DUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4135DUR-1/TR	32.0663	RFQ	7661	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4135DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1600欧姆
JANTX1N746A-1	2.2800	RFQ	3395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N746		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANTXV1N4618CUR-1/TR	27.2251	RFQ	5851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4618CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANS1N4614C-1	-	RFQ	3133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N4614C-1	Ear99	8541.10.0050	50					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
JAN1N3025CUR-1	32.5950	RFQ	6775	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3025		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
Jan1n6625us	14.1900	RFQ	8002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6625	标准		D-5A	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1100 v		1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
JANS1N4573A-1	75.8700	RFQ	9031	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTXV1N4462US	-	RFQ	6135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		1 µA @ 4.5 V				7.5 v	2.5欧姆
JANTXV1N5531D-1	29.2200	RFQ	1037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5531		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆
JANTXV1N6317CUS/TR	-	RFQ	5777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6317		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
1N4782A-1	67.0200	RFQ	2973	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4782A-1	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				8.5 v	100欧姆
1月1N816	-	RFQ	5231	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-	-	-				-	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N6672R	201.0900	RFQ	9651	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6672	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	300 v	15a	1.35 V @ 10 A	35 ns	50 µA @ 240 V	-
JANTX1N4125C-1	15.8550	RFQ	5314	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4125		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250欧姆
JANTXV1N6626U/TR	24.9600	RFQ	6354	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6626U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		220 v		1.35 V @ 2 A	45 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1月1N6328	-	RFQ	8878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
Janhca1n4623c	-	RFQ	3136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4623c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
CDLL5249D	8.4150	RFQ	8091	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5249D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				19 v	23欧姆
JANTX1N4619DUR-1/TR	34.3539	RFQ	1118	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4619DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
Janhca1n4581a	11.4600	RFQ	4914	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANHCA1N4581A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
CDLL752A	3.5250	RFQ	6577	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL752		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	11欧姆
Jan1n944b-1/tr	-	RFQ	7411	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N944B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
Jan1n4995us/tr	-	RFQ	5914	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4995US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V				360 v	1400欧姆
SMBJ5346AE3/TR13	0.8100	RFQ	4942	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5346		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		7.5 µA @ 6.6 V				9.1 v	2欧姆
1N938A/TR	9.9150	RFQ	4214	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N938A/TR	Ear99	8541.10.0050	1											9 V	20欧姆
1N4571A-1E3	6.7050	RFQ	5251	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4571		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 100 V				6.4 v
UZ8216	22.4400	RFQ	6180	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8216	Ear99	8541.10.0050	1							500 NA @ 115 V				160 v	1100欧姆
1N4582AR-1	9.0151	RFQ	7269	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4582		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					25欧姆
1N753D	5.5800	RFQ	3136	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N753D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				6.2 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²