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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
UZ220	22.4400	RFQ	3969	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ220	Ear99	8541.10.0050	1
1N5936BP/TR8	1.8900	RFQ	1266	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
JANTXV1N4466US/TR	13.9650	RFQ	1246	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4466US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTXV1N2825B	-	RFQ	6785	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2825		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 27.4 V				36 V	3.5欧姆
JANTX1N3309B	-	RFQ	5299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.7 V				10 v	0.6欧姆
JANS1N4117UR-1	48.9900	RFQ	4529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
JANS1N4116-1	33.7800	RFQ	6605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
1N5532/tr	1.9950	RFQ	5204	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5532/tr	Ear99	8541.10.0050	477					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.5 V				12 v
JANTXV1N3318RB	-	RFQ	6309	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 13.7 V				19 v	2.2欧姆
JANS1N6354D	-	RFQ	1139	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
DSB5817	-	RFQ	7528	微芯片技术	*	大部分	积极的					DSB5817				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N4743E3/TR13	0.8100	RFQ	4861	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4743		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
JANTXV1N3016C-1	28.9500	RFQ	4700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3016		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	3.5欧姆
SBT3050A	62.1000	RFQ	1311	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	SBT3050	肖特基		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-SBT3050A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	50 V	30a	700 mv @ 30 a		1.5 ma @ 50 V	-65°C〜175°C
1N5530B/tr	3.6150	RFQ	9937	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N55330b/tr	Ear99	8541.10.0050	261					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
JANTX1N4481	11.5500	RFQ	6784	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
JANS1N6319D	350.3400	RFQ	4265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6319		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
JANTX1N6314	-	RFQ	9741	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
CDLL971B	2.8650	RFQ	5779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL971		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V				27 V	41欧姆
JANTX1N977DUR-1	19.4700	RFQ	6061	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N977		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 36 V				47 V	105欧姆
JAN1N4971CUS/TR	21.3150	RFQ	4840	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4971CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V				36 V	11欧姆
JANTXV1N987B-1/TR	-	RFQ	4129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N987B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 91.2 V				120 v	900欧姆
CDLL4765	64.8450	RFQ	9126	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4765		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 v	350欧姆
JANTX1N6622U	15.0300	RFQ	8689	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6622	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		660 v		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 660 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
MBR2050CTE3/TU	1.1700	RFQ	5565	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2050				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
1N3909	48.5400	RFQ	8606	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
JANTXV1N4119UR-1/TR	10.1080	RFQ	9336	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4119UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 21.3 V				28 V	200欧姆
JANS1N4123-1/TR	31.6700	RFQ	2256	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4123-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
1N5937A	3.4050	RFQ	9652	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5937		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
1N754AR-1	3.0300	RFQ	2223	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²