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二极管（（34409）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向（（vr）（VR）） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMBJ4742E3/TR13 | 0.4350 |  | 3570 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA，SMB | SMBJ4742 | 2 w | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 v | 9欧姆 | |||||||||
 | JANTXV1N6348 | 14.6700 | | 3977 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N6348 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 76 V | 100 v | 340欧姆 | |||||||||
 | JANTXV1N6352DUS | - | | 3989 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 114 V | 141 v | 1000欧姆 | |||||||||||
 | JANS1N5802URS | 118.4100 | | 4850 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a，轴向 | 标准 | a，轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 50 V | 975 MV @ 2.5 A | 25 ns | -65°C〜175°C | 2a | 25pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
 | MSASC150W60LS/TR | - | | 2241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC150W60LS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N4121DUR-1 | 30.4050 | | 1892年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4121 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 25.1 V | 33 V | 200欧姆 | |||||||||
 | JANTX1N4570A-1 | 6.5400 | | 5282 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4570 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100欧姆 | ||||||||||
 | Jan1n4495 | 9.5100 | | 1445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N4495 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 NA @ 144 V | 180 v | 1300欧姆 | |||||||||
| JANTX1N964D-1 | 7.0800 | | 4683 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N964 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 13欧姆 | |||||||||
 | Jan1n3018bur-1 | 12.7350 | | 6225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3018 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 8.2 v | 4.5欧姆 | |||||||||
| 1N729A | 1.9200 | | 1010 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N729 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 43 V | 84欧姆 | |||||||||||
 | 1N4904A | 24.3600 | | 8327 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C〜100°C | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N4904 | 400兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 v | 100欧姆 | |||||||||||
| JANTXV1N935B-1 | - | | 5550 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/156 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9 V | 20欧姆 | |||||||||||
| JANTX1N4119UR-1 | - | | 8454 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 21.3 V | 28 V | 200欧姆 | ||||||||||
| JAN1N5539CUR-1/TR | 25.7887 | | 4610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5539CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 17.1 V | 19 v | 100欧姆 | ||||||||||
 | 1N4745P/TR12 | 1.8600 | | 5301 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N4745 | 1 w | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||||||||
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| 1n6018ur | 3.5850 | | 3530 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6018 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 1N5355C/TR8 | 3.3900 | | 6695 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18，轴向 | 1N5355 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13 V | 18 V | 2.5欧姆 | |||||||||
 | 1 PMT5933B/TR7 | 2.2200 | | 1819年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 v | 17.5欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N6335 | 14.6700 | | 4751 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N6335 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 23 V | 30 V | 32欧姆 | |||||||||
| JANTX1N6318 | - | | 4594 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 8欧姆 | ||||||||||
| JANS1N4480 | 83.8650 | | 3766 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1.5 w | do-41 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 34.4 V | 43 V | 40欧姆 | |||||||||||
 | 1N5988B | 3.0900 | | 2871 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5988 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1N5988BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | ||||||||
| 1N731 | 1.9200 | | 5265 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10％ | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N731 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 51 v | 115欧姆 | |||||||||||
| 1N4127 | 2.4450 | | 4795 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N4127 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| JANTXV1N4622-1 | 5.7750 | | 8735 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4622 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650年 | |||||||||
| SMBJ5929A/TR13 | 1.5600 | | 1391 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA，SMB | SMBJ5929 | 2 w | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 v | 9欧姆 | |||||||||
 | JANTX1N4491US | 14.3550 | | 2395 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | a，平方米 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 NA @ 96 V | 120 v | 400欧姆 | ||||||||||||
| 1 PMT5936/TR7 | 2.2200 | | 3482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±20％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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