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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SMBJ4742E3/TR13	0.4350	RFQ	3570	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4742		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
1 PMT5946A/TR13	-	RFQ	5020	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
1N971BE3	2.4300	RFQ	5821	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N971		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N971BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	41欧姆
JANTXV1N3029DUR-1	56.9100	RFQ	3078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3029		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
JANTXV1N456666AUR-1	13.9650	RFQ	4413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4566		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
Jan1n5526bur-1	14.4600	RFQ	1955年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5526		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
SMBJ5930A/TR13	1.5600	RFQ	2802	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5930		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
JANTXV1N4372CUR-1	26.2350	RFQ	1290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4372		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
JANTX1N4996US	-	RFQ	1125	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4996		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
1N6336	8.4150	RFQ	4284	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6336		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
SMBJ5344AE3/TR13	0.8100	RFQ	7067	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5344		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
Jan1n4558b	-	RFQ	3652	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		150 µA @ 500 mV				4.3 v	0.16欧姆
JANTX1N963CUR-1	21.8850	RFQ	8680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N963		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
1月1N4967	5.8950	RFQ	7765	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4967		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
JANTX1N7048-1	8.8950	RFQ	8817	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N3027B-1	7.7250	RFQ	6278	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3027		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
1N5279B	3.1200	RFQ	7666	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5279		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5279BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
JANS1N4100DUR-1	148.5300	RFQ	7908	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
1月1N964BUR-1	4.4400	RFQ	8018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N964		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
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CDLL5271A	3.5850	RFQ	2083	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5271		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
JANTX1N5520D-1	23.6250	RFQ	4119	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
SMBJ4760AE3/TR13	0.4350	RFQ	4345	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4760		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
JANS1N4565A-1	74.6250	RFQ	1070	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANS1N6316	114.5850	RFQ	2081	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6316		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
1N6641US	9.7050	RFQ	6740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6641	标准		D-5D	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 200 ma	5 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JANTXV1N4956	10.1250	RFQ	7341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4956		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1n6018ur	3.5850	RFQ	3530	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6018				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL5956B	7.8450	RFQ	5457	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5956		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 v	1200欧姆
JANS1N942B-1	-	RFQ	3096	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²