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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
R3540	42.3000	RFQ	1591年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R3540	标准，反极性		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
APT2X101DQ100J	25.9400	RFQ	1097	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1000 v	100a	2.7 V @ 100 A	290 ns	100 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C
Jan1n3155ur-1	-	RFQ	7713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
R30420	40.6350	RFQ	4531	微芯片技术	R304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	40a	-
SMBG5374A/TR13	2.2200	RFQ	5005	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5374		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 54 V				75 v	45欧姆
Jan1n4990dus	30.1500	RFQ	1473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4990		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
UES1101	18.3150	RFQ	6843	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		975 mv @ 2 a	25 ns		-55°C 〜175°C	2a	-
1N5941BE3/TR13	-	RFQ	4937	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5941		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
Janhca1n753d	-	RFQ	2577	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n753d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				6.2 v	7欧姆
JANTX1N3890A	344.1450	RFQ	1143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3890	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.5 V @ 20 A	200 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	12a	-
1N747A-1/TR	2.0748	RFQ	1333	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N747A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	22欧姆
Jan1n6074/tr	14.5650	RFQ	4212	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/503	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6074/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	3a	-
JANTX1N6637DUS	-	RFQ	3829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				5.1 v	1.5欧姆
jankca1n4111	-	RFQ	3388	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4111	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.92 V				17 V	100欧姆
JANTX1N6321CUS	30.8028	RFQ	8002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6321CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
JANTX1N980DUR-1	19.4700	RFQ	7358	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
1N1357A	44.3850	RFQ	8188	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N135		10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1357A	Ear99	8541.10.0050	1											18 V	3欧姆
mbr60200pte3/tu	2.0100	RFQ	6493	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR60200				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
UFR8760	148.2150	RFQ	2782	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-UFR8760	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1 V @ 85 A	140 ns	30 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	85a	155pf @ 10V，1MHz
JAN1N3047D-1	-	RFQ	9498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13			1 w	DO-13（do-202AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 98.8 V				130 v	700欧姆
JANS1N6488C	-	RFQ	7884	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	SQ-MELF，a	1N6488		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
jankca1n5542b	-	RFQ	6691	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N5542B	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆
1N6319US/TR	13.1404	RFQ	3999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6319US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
JANTXV1N753D-1	16.9200	RFQ	9461	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N753		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆
JANS1N6345DUS	527.5650	RFQ	4317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6345DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
CD4742A	1.8354	RFQ	4684	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4742A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
1N5940BUR-1	4.5300	RFQ	5929	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5940		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
JANTXV1N6322U/TR	35.3647	RFQ	3780	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6322U/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
JANTX1N6347CUS/TR	39.9450	RFQ	8784	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6347CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
1N4578	8.9400	RFQ	2279	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N4578	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²