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二极管（（34409）

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JANTX1N645-1/TR	-	RFQ	1132	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N645-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	225 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
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jankca1n4108	-	RFQ	8260	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANKCA1N4108	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
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1N6491US/TR	12.4754	RFQ	2188	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N6491US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V				5.6 v	5欧姆
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JANS1N4135C-1/TR	63.1902	RFQ	5186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4135C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1.5欧姆
CD3034B	3.6043	RFQ	1905年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD3034B	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
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CDLL5544A/TR	5.9052	RFQ	1678年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5544A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 23 V				28 V	100欧姆
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CDLL4582/tr	9.2100	RFQ	1219	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4582/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					25欧姆
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JANTXV1N6327US/TR	20.1096	RFQ	8124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N6327US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V				13 V	8欧姆
CDLL3823/tr	9.1371	RFQ	3405	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL3823/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
Jan1n6858ur-1/tr	-	RFQ	7576	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N6858UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	650 mv @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	75mA	4.5pf @ 0v，1MHz
CDLL5272/tr	3.3516	RFQ	1551年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5272/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V				110 v	750欧姆
JANTXV1N3316B	-	RFQ	9393	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N3316B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 13 V				17 V	1.8欧姆
JANTX1N6490/TR	-	RFQ	7569	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N6490/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
JANTXV1N5524D-1/TR	26.0414	RFQ	4957	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N5524D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
JANTX1N4124CUR-1/TR	21.7056	RFQ	1774年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4124CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²