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二极管（（34409）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向（（vr）（VR）） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL4493 | 15.8550 |  | 3417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TA） | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL4493 | 1.5 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700欧姆 | |||||||||||
 | JANTX1N5522CUR-1 | 37.7850 | | 2256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N5522 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 v | 22欧姆 | |||||||||
| JANTX1N4134UR-1 | 9.4950 | | 8972 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4134 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 69.2 V | 91 v | 1200欧姆 | |||||||||
 | 1 PMT5945A/TR13 | 2.2200 | | 3849 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 v | 120欧姆 | |||||||||
 | CDLL5526 | 6.4800 | | 2976 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab，Melf | CDLL5526 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.5 V | 6.8 v | 30欧姆 | |||||||||
| 1 PMT5934B/TR13 | 2.2200 | | 4189 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19欧姆 | |||||||||
 | 1N5934APE3/TR12 | 0.9150 | | 5227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N5934 | 1.5 w | DO-204AL（DO-41） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19欧姆 | |||||||||
| CDLL5524B | 4.6500 | | 8666 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab，Melf | CDLL5524 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 3.5 V | 5.6 v | 30欧姆 | |||||||||
 | JANTX1N6346DUS | 57.9000 | | 7573 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6346DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 62 V | 82 v | 220欧姆 | |||||||||||
| 1N4568AR-1 | 12.3450 | | 7922 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4568 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200欧姆 | ||||||||||||
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 | 1月1N974C-1 | 5.7600 | | 1385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N974 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 27 V | 36 V | 70欧姆 | |||||||||
| Jan1n5417us | 9.3600 | | 4806 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 1N5417 | 标准 | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||
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| CDLL3018 | 14.7300 | | 4855 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | do-213ab，Melf | CDLL3018 | 1 w | do-213ab | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 6.2 V | 8.2 v | 4.5欧姆 | |||||||||
 | JANTX1N4969US/TR | 8.9243 | | 2732 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4969US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8欧姆 | ||||||||||
| JANTX1N5545D-1 | 21.9150 | | 5137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5545 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27 V | 30 V | 100欧姆 | |||||||||
| JANTXV1N3825CUR-1 | 49.6200 | | 6498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3825 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.7 v | 8欧姆 | |||||||||
| SMBG5371CE3/TR13 | 1.4400 | | 7919 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | SMBG5371 | 5 w | SMBG（DO-215AA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 43 V | 60 V | 40欧姆 | |||||||||
 | 1N4781 | 31.7100 | | 7800 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | 0°C〜75°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4781 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.5 v | 100欧姆 | |||||||||||
| SMBJ5349B/TR13 | 1.6650 | | 6126 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA，SMB | SMBJ5349 | 5 w | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 2 µA @ 8.6 V | 12 v | 2.5欧姆 | |||||||||
| JANTX1N4117D-1 | 16.9800 | | 6600 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4117 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150欧姆 | |||||||||
| Jan1n4553b | - | | 8190 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 20 µA @ 1 V | 5.6 v | 0.12欧姆 | |||||||||||
| 1N721A | 1.9200 | | 4999 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | - | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N721 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 v | 20欧姆 | |||||||||||
| 1N5936P/TR12 | 1.8600 | | 1561年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±20％ | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N5936 | 1.5 w | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28欧姆 | |||||||||
 | JANS1N4120-1 | 32.4800 | | 393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4120 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200欧姆 | |||||||||
| CDLL981A | 2.9400 | | 8309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab，Melf | CDLL981 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 52 V | 68 v | 230欧姆 | |||||||||
| JANTX1N4112D-1 | 16.9800 | | 1669年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4112 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 13.7 V | 18 V | 100欧姆 | |||||||||
 | 1N3338B | - | | 9422 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 底盘，螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | 1N3338 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 62.2 V | 82 v | 11欧姆 |
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