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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5929A/tr	5.1737	RFQ	7716	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.25 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5929A/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V				15 v	9欧姆
JANTX1N6637DUS	-	RFQ	3829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				5.1 v	1.5欧姆
1N5994/tr	3.5850	RFQ	5333	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5994/tr	Ear99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				5.6 v	70欧姆
JANTXV1N5616US	-	RFQ	5041	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JANTXV1N4121CUR-1	28.8000	RFQ	6760	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4121		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1N4246	3.7800	RFQ	8631	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4246	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTXV1N3018DUR-1/TR	51.2715	RFQ	5754	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3018DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
1N6540	16.5300	RFQ	1723年	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6540				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
JAN1N4115CUR-1/TR	13.0606	RFQ	8220	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4115CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
CD023B-1/TR	-	RFQ	9961	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3023B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N5362E3/TR8	2.6250	RFQ	4540	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5362		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.1 V				28 V	6欧姆
JANTX1N3021D-1	27.4500	RFQ	2421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3021		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
CDLL4923A/TR	48.9000	RFQ	9053	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4923A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 v	150欧姆
1月1N6663	-	RFQ	5012	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
JANS1N5811U	24.3300	RFQ	5969	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	3a	-
UFR3140R	69.3150	RFQ	7722	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UFR3140	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 30 A	50 ns	15 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	30a	115pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6662US/TR	-	RFQ	2035	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6662US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
JANTXV1N6911UTK2CS	-	RFQ	6495	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	30 V	540 mv @ 25 A		1.2 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	25a
Jan1n4114ur-1	5.7000	RFQ	6859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4114			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
1N4756CPE3/TR12	1.1550	RFQ	8604	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4756		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
1N4764ur-1	3.4650	RFQ	5961	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-1N4764UR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 76 V				100 v	350欧姆
jankca1n4565a	-	RFQ	4802	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4565A	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
CD5362B	5.0274	RFQ	2904	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5362B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 21.2 V				28 V	6欧姆
JANTX1N6912UTK2	-	RFQ	3130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
1 PMT4625CE3/TR13	-	RFQ	1252	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4625		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
1N3296A	93.8550	RFQ	2033	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	1N3296	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1n3296am	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.1 V @ 200 A		200 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
Jan1n5416	6.6300	RFQ	4320	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5416	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N5537BUR-1	14.7600	RFQ	2946	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5537		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
1N5925E3/TR13	-	RFQ	1063	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5925		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 8 V				10 v	4.5欧姆
MNS1N6317US	18.2250	RFQ	3851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-MNS1N6317US	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²