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Jan1n6317d | 30.4350 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6317 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14欧姆 | ||||
![]() | 1月1N2804RB | - | ![]() | 7509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | to-204ad | 1N2804 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 150 µA @ 4.5 V | 6.8 v | 0.2欧姆 | |||
1N4108-1 | 2.4450 | ![]() | 8732 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4108 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 10.7 V | 14 V | 200欧姆 | ||||
![]() | CDLL4493 | 15.8550 | ![]() | 3417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL4493 | 1.5 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 NA @ 120 V | 150 v | 700欧姆 | ||||
![]() | JANTXV1N5541DUR-1 | 61.9050 | ![]() | 8452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5541 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19.8 V | 22 v | 100欧姆 | ||
![]() | 1 PMT4103C/TR7 | 1.2450 | ![]() | 6882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6.92 V | 9.1 v | 200欧姆 | ||
![]() | 1 PMT5945A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 3849 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 v | 120欧姆 | ||
![]() | JAN1N333338RB | - | ![]() | 3450 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 62.2 V | 82 v | 11欧姆 | ||||
CDLL5526 | 6.4800 | ![]() | 2976 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5526 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.5 V | 6.8 v | 30欧姆 | |||
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JANTXV1N3032C-1 | 38.0400 | ![]() | 4442 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3032 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 45欧姆 | |||
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![]() | SMBJ4742E3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 3570 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ4742 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 v | 9欧姆 | ||
![]() | 1 PMT5946A/TR13 | - | ![]() | 5020 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 v | 140欧姆 | ||
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![]() | JANTXV1N456666AUR-1 | 13.9650 | ![]() | 4413 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4566 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | |||
![]() | Jan1n5526bur-1 | 14.4600 | ![]() | 1955年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5526 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 v | 30欧姆 | ||
![]() | SMBJ5930A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 2802 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5930 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N4372CUR-1 | 26.2350 | ![]() | 1290 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4372 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | ||
![]() | JANTX1N4996US | - | ![]() | 1125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4996 | 5 w | E,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 297 V | 390 v | 1800欧姆 | ||
1N6336 | 8.4150 | ![]() | 4284 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6336 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 25 V | 33 V | 40欧姆 | ||||
![]() | SMBJ5344AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 7067 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5344 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 v | 1.5欧姆 | ||
![]() | Jan1n4558b | - | ![]() | 3652 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | to-204ad | 50 W | TO-204AD(TO-3) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 150 µA @ 500 mV | 4.3 v | 0.16欧姆 | ||||
JANTX1N963CUR-1 | 21.8850 | ![]() | 8680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N963 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 11.5欧姆 | |||
1月1N4967 | 5.8950 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4967 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5欧姆 | ||||
![]() | JANTX1N7048-1 | 8.8950 | ![]() | 8817 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||
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![]() | 1N5279B | 3.1200 | ![]() | 7666 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5279 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N5279BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 NA @ 137 V | 180 v | 2200欧姆 |
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