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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JAN1N970CUR-1 Microchip Technology 1月1N970CUR-1 11.3850
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N970 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 18 V 24 V 33欧姆
JAN1N6317D Microchip Technology Jan1n6317d 30.4350
RFQ
ECAD 5335 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6317 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 2 V 5.1 v 14欧姆
JAN1N2804RB Microchip Technology 1月1N2804RB -
RFQ
ECAD 7509 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 to-204ad 1N2804 50 W TO-204AD(TO-3) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 150 µA @ 4.5 V 6.8 v 0.2欧姆
1N4108-1 Microchip Technology 1N4108-1 2.4450
RFQ
ECAD 8732 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4108 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 10.7 V 14 V 200欧姆
CDLL4493 Microchip Technology CDLL4493 15.8550
RFQ
ECAD 3417 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TA) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) CDLL4493 1.5 w DO-213AB(梅尔,LL41) - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 NA @ 120 V 150 v 700欧姆
JANTXV1N5541DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N5541DUR-1 61.9050
RFQ
ECAD 8452 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5541 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19.8 V 22 v 100欧姆
1PMT4103C/TR7 Microchip Technology 1 PMT4103C/TR7 1.2450
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.92 V 9.1 v 200欧姆
1PMT5945A/TR13 Microchip Technology 1 PMT5945A/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 51.2 V 68 v 120欧姆
JAN1N3338RB Microchip Technology JAN1N333338RB -
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 62.2 V 82 v 11欧姆
CDLL5526 Microchip Technology CDLL5526 6.4800
RFQ
ECAD 2976 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5526 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.5 V 6.8 v 30欧姆
JANTX1N2811RB Microchip Technology JANTX1N2811RB -
RFQ
ECAD 7787 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 to-204ad 1N2811 10 W TO-204AD(TO-3) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 1.1欧姆
JANTXV1N3032C-1 Microchip Technology JANTXV1N3032C-1 38.0400
RFQ
ECAD 4442 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3032 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
1N5937APE3/TR12 Microchip Technology 1N5937APE3/TR12 0.9150
RFQ
ECAD 3182 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5937 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33欧姆
SMBJ4742E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4742E3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4742 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
1PMT5946A/TR13 Microchip Technology 1 PMT5946A/TR13 -
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 v 140欧姆
1N971BE3 Microchip Technology 1N971BE3 2.4300
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N971 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2266-1N971BE3 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 20.6 V 27 V 41欧姆
JANTXV1N3029DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3029DUR-1 56.9100
RFQ
ECAD 3078 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3029 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
JANTXV1N4566AUR-1 Microchip Technology JANTXV1N456666AUR-1 13.9650
RFQ
ECAD 4413 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4566 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 200欧姆
JAN1N5526BUR-1 Microchip Technology Jan1n5526bur-1 14.4600
RFQ
ECAD 1955年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5526 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.2 V 6.8 v 30欧姆
SMBJ5930A/TR13 Microchip Technology SMBJ5930A/TR13 1.5600
RFQ
ECAD 2802 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5930 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 12.2 V 16 V 10欧姆
JANTXV1N4372CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4372CUR-1 26.2350
RFQ
ECAD 1290 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4372 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANTX1N4996US Microchip Technology JANTX1N4996US -
RFQ
ECAD 1125 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4996 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 297 V 390 v 1800欧姆
1N6336 Microchip Technology 1N6336 8.4150
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6336 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 na @ 25 V 33 V 40欧姆
SMBJ5344AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5344AE3/TR13 0.8100
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5344 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 5.9 V 8.2 v 1.5欧姆
JAN1N4558B Microchip Technology Jan1n4558b -
RFQ
ECAD 3652 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 to-204ad 50 W TO-204AD(TO-3) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 150 µA @ 500 mV 4.3 v 0.16欧姆
JANTX1N963CUR-1 Microchip Technology JANTX1N963CUR-1 21.8850
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N963 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 11.5欧姆
JAN1N4967 Microchip Technology 1月1N4967 5.8950
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4967 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
JANTX1N7048-1 Microchip Technology JANTX1N7048-1 8.8950
RFQ
ECAD 8817 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
JAN1N3027B-1 Microchip Technology JAN1N3027B-1 7.7250
RFQ
ECAD 6278 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3027 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 15.2 V 20 v 22欧姆
1N5279B Microchip Technology 1N5279B 3.1200
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5279 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 1N5279BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 137 V 180 v 2200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库