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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4121CUR-1	98.9100	RFQ	2167	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1 PMT5927BE3/TR13	-	RFQ	5061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
1N1199R	75.5700	RFQ	3476	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1199	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	12a	-
SMBJ5937B/TR13	1.5600	RFQ	7487	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5937		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
1N4104-1	2.4450	RFQ	6370	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4104		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
1 PMT4099CE3/TR13	0.5400	RFQ	5428	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
CDLL3029	15.3000	RFQ	7089	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3029		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 na @ 18.2 V				24 V	25欧姆
UPS170E3/TR7	0.4800	RFQ	4949	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UPS170				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
S42120F	57.8550	RFQ	9680	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	S42120	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	125a	-
JANTX1N4993	14.2500	RFQ	8050	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4993		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 228 V				300 v	950欧姆
JANS1N4484DUS	330.2550	RFQ	1427	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N44484DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 49.6 V				62 v	80欧姆
JANS1N4471CUS	283.8300	RFQ	7833	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4471CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
SMBJ5358CE3/TR13	1.0800	RFQ	3189	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5358		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V				22 v	3.5欧姆
1N3173	216.8850	RFQ	6130	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3173	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3173MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	900 v	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 900 V	-65°C 〜200°C	240a	-
CDLL4766	93.9300	RFQ	7058	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4766		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 v	350欧姆
CDLL5931C	7.8450	RFQ	1349	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5931		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
SMAJ5937BE3/TR13	0.6450	RFQ	8322	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5937		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
1N6014UR-1	3.5850	RFQ	4459	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6014				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
UPS5819/TR7	0.6150	RFQ	8250	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS5819	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
Jan1n4622ur-1	6.5550	RFQ	9164	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4622		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
1 PMT5948AE3/TR7	0.7350	RFQ	3011	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V				91 v	200欧姆
1 PMT5930/TR13	2.2200	RFQ	2731	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1N5937APE3/TR8	0.9150	RFQ	6658	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5937		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
JANS1N6333	114.5850	RFQ	5656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
JANS1N4962DUS	429.5200	RFQ	2985	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4962DUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N6354	-	RFQ	6297	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/516	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
1N937B-1/TR	10.1550	RFQ	6377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N937B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100									9 V	20欧姆
1N3168R	201.6150	RFQ	3170	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3168	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3168RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.55 V @ 940 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
CDLL5538	6.4800	RFQ	9631	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5538		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15 V				18 V	100欧姆
1N3899R	48.5400	RFQ	3917	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3899	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²