RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL4759A/TR	3.2319	RFQ	2448	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4759A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 47.1 V				62 v	125欧姆
1N4758E3/TR13	0.8100	RFQ	1203	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4758		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
1N4954US	8.3000	RFQ	1	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4954		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
1N5545D/tr	5.8650	RFQ	2115	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5545D/tr	Ear99	8541.10.0050	161					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
JANS1N5802	33.3000	RFQ	4112	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		875 mv @ 1 a	25 ns		-65°C〜175°C	2a	-
1 PMT4103/TR13	0.9600	RFQ	9780	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.92 V				9.1 v	200欧姆
CDLL5924C	7.8450	RFQ	4933	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5924		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
JANTXV1N645-1/TR	-	RFQ	7376	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N645-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		225 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
Janhca1n975c	-	RFQ	5293	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n975c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	80欧姆
1N4480/tr	4.5486	RFQ	8444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4480/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
JANTX1N990BUR-1/TR	-	RFQ	5656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N990BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V				160 v	1.7欧姆
UPS560E3/TR13	0.6300	RFQ	59	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	PowerMite®3	UPS560	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		60 V		690 mv @ 5 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜125°C	5a	150pf @ 4V，1MHz
Jan1n6323d	24.7800	RFQ	7984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6323D	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V				9.1 v	6欧姆
1 PMT5951AE3/TR13	0.7350	RFQ	2179	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
JANTXV1N6324CUS/TR	57.2550	RFQ	1430	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6324CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V				10 v	6欧姆
JANTXV1N4370DUR-1	32.8050	RFQ	9826	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N5953B	3.4050	RFQ	7429	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5953		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5953BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 114 V				150 v	600欧姆
Janhca1n4128c	-	RFQ	6848	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4128c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
JANS1N6319US/TR	136.2600	RFQ	9975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6319		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	50					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
UFR3150R	99.3300	RFQ	9306	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UFR3150	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.25 V @ 30 A	50 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	30a	115pf @ 10V，1MHz
1N5941BP/TR12	1.8900	RFQ	9651	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5941		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
1N2260A	44.1600	RFQ	2239	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2260A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	22a	-
CDLL3036B	15.3000	RFQ	2458	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3036		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
1N6701	23.6550	RFQ	9666	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6701				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
LSM160GE3/TR13	0.6450	RFQ	3545	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					LSM160				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
JANS1N6312	-	RFQ	8430	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
JANTXV1N5522BUR-1/TR	17.2900	RFQ	9528	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5522BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.7 v	22欧姆
1N964B-1	2.2650	RFQ	6777	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V				13 V	13欧姆
APT2X100D20J	29.2200	RFQ	9913	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X100	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	100a	1.1 V @ 100 A	60 ns	500 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
JANS1N4109UR-1/TR	46.3100	RFQ	8754	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4109UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²