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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANHCA1N4113 Microchip Technology Janhca1n4113 13.2734
RFQ
ECAD 9745 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 DO-7(do-204AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n4113 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 14.44 V 19 v 150欧姆
JANTXV1N6874UTK2 Microchip Technology JANTXV1N6874UTK2 521.6100
RFQ
ECAD 4599 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/469 大部分 积极的 表面安装 Thinkey™2 标准 Thinkey™2 - 到达不受影响 150-JANTXV1N6874UTK2 Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1 V @ 400 MA -65°C〜175°C 400mA -
UZ7740R Microchip Technology UZ7740R 468.9900
RFQ
ECAD 6532 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 螺柱坐骑 螺柱 10 W 轴向 - 到达不受影响 150-UZ7740R Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 30.4 V 40 V 15欧姆
S2120 Microchip Technology S2120 33.4500
RFQ
ECAD 6026 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 S2120 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 200 V -65°C 〜200°C 22a -
JANTX1N5543B-1 Microchip Technology JANTX1N5543B-1 8.5050
RFQ
ECAD 7435 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5543 500兆 DO-204AH(DO-35)(DO-35) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.4 V 25 v 100欧姆
1PMT5933B/TR7 Microchip Technology 1 PMT5933B/TR7 2.2200
RFQ
ECAD 1819年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 v 17.5欧姆
JANTX1N4480US Microchip Technology JANTX1N4480US 16.4550
RFQ
ECAD 2600 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4480 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 50 NA @ 34.4 V 43 V 40欧姆
JANTXV1N3016CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3016CUR-1 57.6750
RFQ
ECAD 5744 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3016 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 150 µA @ 5.2 V 6.8 v 3.5欧姆
CDLL969A Microchip Technology CDLL969A 2.8650
RFQ
ECAD 9862 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL969 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 17 V 22 v 29欧姆
JANS1N4460C Microchip Technology JANS1N4460C 207.1050
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.5 w do-41 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 3.72 V 6.2 v 4欧姆
1N5362AE3/TR12 Microchip Technology 1N5362AE3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 6338 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5362 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 20.1 V 28 V 6欧姆
1PMT4103CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4103CE3/TR13 -
RFQ
ECAD 2767 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.92 V 9.1 v 200欧姆
1N5531D-1 Microchip Technology 1N5531D-1 8.6850
RFQ
ECAD 5913 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.9 V 11 V 80欧姆
1N4714UR-1 Microchip Technology 1N4714ur-1 5.0850
RFQ
ECAD 3461 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N4714 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 ma 10 na @ 25 V 33 V
JAN1N4117DUR-1/TR Microchip Technology Jan1n4117dur-1/tr 24.8843
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4117DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19 V 25 v 150欧姆
JANS1N5622 Microchip Technology JANS1N5622 59.9100
RFQ
ECAD 5966 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 1000 V -65°C 〜200°C 1a -
JAN1N4553B Microchip Technology Jan1n4553b -
RFQ
ECAD 8190 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 20 µA @ 1 V 5.6 v 0.12欧姆
1N5340E3/TR8 Microchip Technology 1N5340E3/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 1778年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5340 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 3 V 6 V 1欧姆
JAN1N4133DUR-1 Microchip Technology JAN1N4133DUR-1 24.5550
RFQ
ECAD 9632 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4133 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 66.2 V 87 v 1000欧姆
JANTX1N4968US Microchip Technology JANTX1N4968US 9.5400
RFQ
ECAD 9232 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4968 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 20.6 V 27 V 6欧姆
1PMT4110CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4110CE3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 5936 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 12.15 V 16 V 100欧姆
JANS1N4480 Microchip Technology JANS1N4480 83.8650
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.5 w do-41 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 34.4 V 43 V 40欧姆
1N5988B Microchip Technology 1N5988B 3.0900
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5988 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 1N5988BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
SMBJ5388C/TR13 Microchip Technology SMBJ5388C/TR13 -
RFQ
ECAD 5593 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5388 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 144 V 200 v 480欧姆
1N2805A Microchip Technology 1N2805A 94.8900
RFQ
ECAD 7463 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2805 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 100 µA @ 5 V 7.5 v 0.3欧姆
1N731 Microchip Technology 1N731 1.9200
RFQ
ECAD 5265 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N731 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 51 v 115欧姆
1N4572A Microchip Technology 1N4572A 6.5250
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TA) 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 do-7 下载 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100欧姆
SMBG5363A/TR13 Microchip Technology SMBG5363A/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 6041 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5363 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 21.6 V 30 V 8欧姆
JANTX1N3043C-1 Microchip Technology JANTX1N3043C-1 25.5600
RFQ
ECAD 6595 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3043 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
SMBJ4756AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ4756AE3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4756 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库