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![]() | JANTXV1N6874UTK2 | 521.6100 | ![]() | 4599 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/469 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™2 | 标准 | Thinkey™2 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6874UTK2 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1 V @ 400 MA | -65°C〜175°C | 400mA | - | ||||||||||||
![]() | UZ7740R | 468.9900 | ![]() | 6532 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | 螺柱 | 10 W | 轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UZ7740R | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 30.4 V | 40 V | 15欧姆 | ||||||||||||
![]() | S2120 | 33.4500 | ![]() | 6026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | S2120 | 标准 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 22a | - | |||||||||
JANTX1N5543B-1 | 8.5050 | ![]() | 7435 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5543 | 500兆 | DO-204AH(DO-35)(DO-35) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.4 V | 25 v | 100欧姆 | ||||||||||
![]() | 1 PMT5933B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 1819年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 v | 17.5欧姆 | |||||||||
JANTX1N4480US | 16.4550 | ![]() | 2600 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4480 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 34.4 V | 43 V | 40欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTXV1N3016CUR-1 | 57.6750 | ![]() | 5744 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3016 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 3.5欧姆 | |||||||||
CDLL969A | 2.8650 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL969 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 17 V | 22 v | 29欧姆 | ||||||||||
![]() | JANS1N4460C | 207.1050 | ![]() | 2935 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 v | 4欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5362AE3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5362 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 20.1 V | 28 V | 6欧姆 | |||||||||
![]() | 1 PMT4103CE3/TR13 | - | ![]() | 2767 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6.92 V | 9.1 v | 200欧姆 | |||||||||
1N5531D-1 | 8.6850 | ![]() | 5913 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.9 V | 11 V | 80欧姆 | |||||||||||||
![]() | 1N4714ur-1 | 5.0850 | ![]() | 3461 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1N4714 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 25 V | 33 V | |||||||||||
![]() | Jan1n4117dur-1/tr | 24.8843 | ![]() | 3561 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4117DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19 V | 25 v | 150欧姆 | |||||||||||
JANS1N5622 | 59.9100 | ![]() | 5966 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | Jan1n4553b | - | ![]() | 8190 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 20 µA @ 1 V | 5.6 v | 0.12欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5340E3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 1778年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5340 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1欧姆 | |||||||||
![]() | JAN1N4133DUR-1 | 24.5550 | ![]() | 9632 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4133 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 66.2 V | 87 v | 1000欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4968US | 9.5400 | ![]() | 9232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4968 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 6欧姆 | ||||||||||
![]() | 1 PMT4110CE3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 12.15 V | 16 V | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N4480 | 83.8650 | ![]() | 3766 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 34.4 V | 43 V | 40欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5988B | 3.0900 | ![]() | 2871 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5988 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N5988BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 95欧姆 | ||||||||
![]() | SMBJ5388C/TR13 | - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5388 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 144 V | 200 v | 480欧姆 | |||||||||
![]() | 1N2805A | 94.8900 | ![]() | 7463 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2805 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 100 µA @ 5 V | 7.5 v | 0.3欧姆 | |||||||||
![]() | 1N731 | 1.9200 | ![]() | 5265 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N731 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 51 v | 115欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N4572A | 6.5250 | ![]() | 9884 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100欧姆 | |||||||||||||
![]() | SMBG5363A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 6041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5363 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 21.6 V | 30 V | 8欧姆 | |||||||||
JANTX1N3043C-1 | 25.5600 | ![]() | 6595 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3043 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | ||||||||||
![]() | SMBJ4756AE3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 7199 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ4756 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 35.8 V | 47 V | 80欧姆 |
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