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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL5256B	2.8650	RFQ	2303	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5256		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 23 V				30 V	49欧姆
SMBJ5914C/TR13	2.0850	RFQ	2695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5914		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 v	9欧姆
JANS1N4993C	249.4500	RFQ	5519	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 228 V				300 v	950欧姆
1N827AUR-1	10.2900	RFQ	3240	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N827		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
1N3042B-1	8.1900	RFQ	2340	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3042		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
1 PMT4108E3/TR13	0.4950	RFQ	4119	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.65 V				14 V	200欧姆
1N3155-1	15.7650	RFQ	8252	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N3155		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
JANTXV1N6320U	180.0000	RFQ	1376	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				6.8 v	3欧姆
JANS1N3154-1	-	RFQ	5581	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 5.5 V				8.8 v	15欧姆
1N5926E3/TR13	-	RFQ	6039	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JANTXV1N980B-1	2.9700	RFQ	3113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
SMBG5368AE3/TR13	1.1250	RFQ	7952	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5368		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 33.8 V				47 V	25欧姆
CDLL5949C	7.8450	RFQ	5354	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5949		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 76 V				100 v	250欧姆
JANTXV1N3023DUR-1	56.9100	RFQ	7126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3023		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.9 V				13 V	10欧姆
1 PMT4125C/TR13	1.2450	RFQ	8209	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4125		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 35.75 V				47 V	250欧姆
JANTX1N2811RB	-	RFQ	7787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2811		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 9.9 V				13 V	1.1欧姆
JANTXV1N4616DUR-1	43.5300	RFQ	4444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4616		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
JANTX1N4481D	36.6000	RFQ	5245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
Jan1n4584aur-1	29.1750	RFQ	3241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4584		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
CDLL989B	4.6950	RFQ	8300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	DO-213AA（）	CDLL989		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									150 v	1500欧姆
JANTX1N4100UR-1	11.3700	RFQ	1739年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4100		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
SMBJ5376CE3/TR13	1.0800	RFQ	6274	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5376		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 63 V				87 v	75欧姆
1N5806US	6.2700	RFQ	80	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5806	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
1N971BE3	2.4300	RFQ	5821	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N971		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N971BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	41欧姆
JANTX1N7048UR-1	10.8150	RFQ	7326	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4106CUR-1	24.7200	RFQ	9969	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4106		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
SMBJ5372B/TR13	1.6650	RFQ	2140	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5372		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
1N2837B	94.8900	RFQ	4183	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2837		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V				91 v	15欧姆
UES2603HR2	92.0250	RFQ	9521	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-3	-		不适用	到达不受影响	2266-ues2603hr2	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	930 MV @ 15 A	35 ns		-55°C 〜175°C	30a	-
1N5344/TR12	2.6250	RFQ	9321	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²