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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N6488CUS	-	RFQ	7233	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
1N2264	44.1600	RFQ	8927	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2264	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	22a	-
JANS1N7050UR-1	162.9150	RFQ	1044	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
MSASC25W15K/TR	-	RFQ	8454	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC25W15K/TR			100
CDLL5931C	7.8450	RFQ	1349	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5931		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
1N4104-1	2.4450	RFQ	6370	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4104		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTXV1N2824RB	-	RFQ	1442	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2824		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 25.1 V				33 V	3.2欧姆
JANS1N6314DUS	412.1550	RFQ	1144	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6314		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
JAN1N5524D-1	17.6700	RFQ	4791	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5524		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
JANTXV1N4370AR-1	10.2450	RFQ	2187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
CDS749A-1/TR	-	RFQ	8103	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS749A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N4969	-	RFQ	2742	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V				30 V	8欧姆
CDLL5950D	11.7300	RFQ	7513	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5950		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 83.6 V				110 v	300欧姆
JANTXV1N6334C	37.5300	RFQ	4944	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6334C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 21 V				27 V	27欧姆
JANTXV1N4623CUR-1/TR	27.2251	RFQ	2453	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4623CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
JANTX1N4459R	57.2700	RFQ	7792	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N4459	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	15a	-
1N4686ur-1/tr	5.2400	RFQ	3965	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 ma		5 µA @ 2 V				3.9 v
S4260F	57.8550	RFQ	9614	微芯片技术	S42	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	S4260	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	125a	-
JANTX1N4122-1	6.4200	RFQ	4224	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4122		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.4 V				36 V	200欧姆
JANTX1N4114-1	6.1950	RFQ	8979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
S43140T	112.3200	RFQ	1061	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-S43140T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N3323RA	49.3800	RFQ	5221	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3323		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 20.6 V				27 V	2.8欧姆
1月1N964B-1	1.9050	RFQ	3536	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N964		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
CDLL3029	15.3000	RFQ	7089	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3029		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 na @ 18.2 V				24 V	25欧姆
1 PMT4099CE3/TR13	0.5400	RFQ	5428	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
UFR3270	199.2450	RFQ	3063	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UFR3270	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	700 v	1.35 V @ 30 A	60 ns	15 µA @ 700 V	-65°C〜175°C	30a	100pf @ 10V，1MHz
1N6077E3/tr	21.8100	RFQ	7146	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准		E，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6077E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	6a	-
1N4735CE3/TR13	1.1700	RFQ	9075	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4735		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
1N3823A-1	-	RFQ	5648	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3823		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
JANTXV1N4126C-1	23.1600	RFQ	3974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4126		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V				51 v	300欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²