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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4110D-1/TR	6.3300	RFQ	3812	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4110D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	150					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.2 V				16 V	100欧姆
JANS1N6316CUS	285.0750	RFQ	1980	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
JANS1N6319US/TR	136.2600	RFQ	9975	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6319		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	50					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
1N4781	31.7100	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4781		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											8.5 v	100欧姆
UFR3150R	99.3300	RFQ	9306	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UFR3150	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.25 V @ 30 A	50 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	30a	115pf @ 10V，1MHz
1N5941BP/TR12	1.8900	RFQ	9651	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5941		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
1N3269R	158.8200	RFQ	5287	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3269	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3269RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 600 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N3291R	-	RFQ	5516	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.55 V @ 310 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
JANS1N4970US	92.0400	RFQ	2982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V				33 V	10欧姆
1N3070ur/tr	9.2100	RFQ	7421	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-				150-1N3070ur/tr			100
1N4245US	7.3650	RFQ	2319	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF		标准		MELF-1	-			到达不受影响	150-1N4245US	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N3045B-1	8.1900	RFQ	2074	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
Jan1n6312us/tr	15.6000	RFQ	1739年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6312		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
Jan1n4466us	10.4550	RFQ	4624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JAN1N5543DUR-1	36.1650	RFQ	6210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
Janhca1n5545b	6.7564	RFQ	6296	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5545b	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
JANS1N5712UBCA/TR	159.7350	RFQ	4951	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-				150-JANS1N5712UBCA/TR			50	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
JAN1N4106CUR-1/TR	13.0606	RFQ	2557	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4106CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
JANTXV1N4127DUR-1	36.0000	RFQ	9163	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4127		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
JANTX1N983BUR-1	6.0900	RFQ	1228	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N983		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
CDLL957A	2.8500	RFQ	8366	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL957		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	4.5欧姆
JANTXV1N4116DUR-1/TR	32.0663	RFQ	2222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4116DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
MSASC75H100F/TR	-	RFQ	8219	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75H100F/tr			100
JANS1N4482CUS/TR	283.9800	RFQ	9151	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4482CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 40.8 V				51 v	60欧姆
JANTXV1N5189	14.5950	RFQ	7933	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5189				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1月1N3826A-1	6.7650	RFQ	7039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3826		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N5348C/TR12	3.3900	RFQ	7207	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆
SMAJ5932BE3/TR13	0.6450	RFQ	2398	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5932		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 v	14欧姆
1N4480/tr	4.5486	RFQ	8444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4480/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
1N4758E3/TR13	0.8100	RFQ	1203	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4758		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²