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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5946BUR-1/TR	4.6800	RFQ	7368	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	209					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
1N5541Bur-1/tr	6.6300	RFQ	9497	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	146					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V				22 v	100欧姆
1N5279BUR-1/TR	5.3400	RFQ	1753年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	182					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
1N4748AR/TR	3.6200	RFQ	5184	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
1N3825AR-1/TR	8.9400	RFQ	9695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	108					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
1N5236BUR-1/TR	3.0900	RFQ	2089	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V				7.5 v	6欧姆
1N5712UBCA/TR	32.0600	RFQ	5851	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-							100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
1N4756ur-1/tr	3.6200	RFQ	1985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
1N4742AURE3/tr	3.8000	RFQ	5588	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	258					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
1N5364C/TR8	3.3900	RFQ	9877	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5364		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 23.8 V				33 V	10欧姆
CDLL5917D	11.7300	RFQ	5461	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5917		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	5欧姆
SMBG5380C/TR13	2.8650	RFQ	8615	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5380		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 86.4 V				120 v	170欧姆
1N1401	38.3850	RFQ	4678	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N1401	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
JANTX1N5537BUR-1	14.7600	RFQ	2946	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5537		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
JANTX1N755DUR-1	17.8950	RFQ	8664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N755		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
1N2795	74.5200	RFQ	4639	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2795	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1.19 V @ 40 mA	5 µs	10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	5a	-
R306120	40.6350	RFQ	1640年	微芯片技术	R306	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R306120	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTX1N2971B	-	RFQ	5317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	1.3欧姆
JAN1N6940UTK3AS	-	RFQ	2960	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		15 v		500 mv @ 150 A		5 ma @ 15 V	-65°C〜175°C	150a
JANTXV1N3031DUR-1	56.9100	RFQ	7101	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3031		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
JAN1N4133CUR-1/TR	11.7838	RFQ	5486	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4133CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1000欧姆
SMBG5342A/TR13	2.2200	RFQ	8436	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5342		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
JANTX1N5615US	8.7450	RFQ	1295	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.6 V @ 3 A	150 ns		-65°C〜175°C	1a	-
Janhca1n4573a	59.5950	RFQ	5394	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4573a	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N4782A-1/TR	67.2000	RFQ	7985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4782A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100							10 µA @ 6 V				8.5 v	100欧姆
5817SMJE3/TR13	0.5700	RFQ	9974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	5817SMJE3	肖特基		do-214aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	1a	-
1N4976US	9.4650	RFQ	7319	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4976		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V				56 v	35欧姆
JANTXV1N3024DUR-1	56.9100	RFQ	9476	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3024		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
JANTX1N5543CUR-1	37.7850	RFQ	4146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JANTX1N4370DUR-1	28.9500	RFQ	9887	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²