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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3645	15.8400	RFQ	9160	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	S，轴向	1N3645	标准		S，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	5 V @ 250 MA		100 µA @ 1400 V	-65°C〜175°C	250mA	-
JANS1N4112D-1	101.3100	RFQ	4633	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
CD4105V	3.0900	RFQ	5489	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD4105V	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
HSM160G/TR13	1.6950	RFQ	2586	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	HSM160	肖特基		DO-215AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	690 mv @ 1 a		100 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C	1a	-
JANTX1N3291R	-	RFQ	5516	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.55 V @ 310 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
Jan1n4466us	10.4550	RFQ	4624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTX1N6348	12.4350	RFQ	9915	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6348		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
JANTXV1N962BUR-1	7.5600	RFQ	8042	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N962		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	9.5欧姆
1N6350US/TR	14.7900	RFQ	9092	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 91 V				120 v	600欧姆
1N4693C	8.6100	RFQ	8330	微芯片技术	-	大部分	积极的									-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N4725	53.3550	RFQ	1979年	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向	1N4725	标准		-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1 V @ 3 A		25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N4483US	11.3550	RFQ	1898年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4483		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4483USM	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
CDLL957A	2.8500	RFQ	8366	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL957		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	4.5欧姆
JANTXV1N4116DUR-1/TR	32.0663	RFQ	2222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4116DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
1N5348C/TR12	3.3900	RFQ	7207	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆
SMAJ5932BE3/TR13	0.6450	RFQ	2398	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5932		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 v	14欧姆
S37100	56.4750	RFQ	1408	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S37100	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.15 V @ 85 A		25 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	85a	-
CDLL4911A	122.7450	RFQ	8409	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4911		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	50欧姆
DSB5817/tr	-	RFQ	7080	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do041，轴向		肖特基，反极性		do-41	-			到达不受影响	150-DSB5817/tr	Ear99	8541.10.0080	258	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	600 mV @ 1 A		100 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
UZ7706R	468.9900	RFQ	5396	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7706R	Ear99	8541.10.0050	1					1 mA @ 5.2 V				6.8 v	0.6欧姆
1N3045B-1	8.1900	RFQ	2074	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
JAN1N5543DUR-1	36.1650	RFQ	6210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JANS1N6335	140.1300	RFQ	6342	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 23 V				30 V	32欧姆
UES1105H2/TR	59.8500	RFQ	1042	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-ues1105hr2/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.25 V @ 1 A	50 ns		-	2a	-
1月1N972BUR-1	4.4400	RFQ	2284	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N972		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
JANS1N4970US	92.0400	RFQ	2982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V				33 V	10欧姆
1N3070ur/tr	9.2100	RFQ	7421	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-				150-1N3070ur/tr			100
1N4245US	7.3650	RFQ	2319	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF		标准		MELF-1	-			到达不受影响	150-1N4245US	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
Jan1n6312us/tr	15.6000	RFQ	1739年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6312		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
JANTXV1N5189	14.5950	RFQ	7933	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5189				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²