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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N752	2.1600	RFQ	5243	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				5.6 v	11欧姆
JANTX1N5533CUR-1/TR	33.6357	RFQ	9984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5533CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
UFR8780	148.2150	RFQ	8432	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-UFR8780	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1 V @ 85 A	140 ns	30 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	85a	155pf @ 10V，1MHz
1N4615E3/tr	3.1800	RFQ	7732	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4615E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
JANS1N6864US	-	RFQ	5994	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		肖特基		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	80 V	700 mv @ 3 a		150 µA @ 80 V	-65°C〜125°C	3a	-
JANS1N4494C	274.8150	RFQ	2456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANS1N4494C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 128 V				160 v	1000欧姆
1N5251BUR/TR	3.0600	RFQ	9088	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5251BUR/TR	Ear99	8541.10.0050	309			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 17 V				22 v	29欧姆
JANTX1N974B-1	2.8500	RFQ	3680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N974		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 27 V				36 V	70欧姆
JANTXV1N5623/TR	12.8550	RFQ	1829年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5623/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.6 V @ 3 A	500 ns	500 na @ 1 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 12V，1MHz
1N5077	23.4000	RFQ	5806	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5077	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 22.8 V				30 V	15欧姆
1N5342E3/TR13	0.9900	RFQ	3191	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5342		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
JAN1N6324CUS/TR	63.8550	RFQ	6749	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6324CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8 V				10 v	6欧姆
CDLL5280B/TR	2.9526	RFQ	8957	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5280B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				190 v	2400欧姆
1N1343	45.3600	RFQ	7029	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1343	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	16a	-
Jan1n2846b	-	RFQ	1070	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2846		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 152 V				200 v	90欧姆
CD4117	1.3699	RFQ	6265	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4117	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
1N5526C/TR	11.5500	RFQ	1535年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5526C/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
1N6337	8.4150	RFQ	1915年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6337		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V				36 V	50欧姆
1N5944BP/TR12	1.8900	RFQ	2331	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
Jan1n5195ur	27.0900	RFQ	5733	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma			-65°C〜175°C	200mA	-
JANS1N4114D-1	101.3100	RFQ	4187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
JANTXV1N5532BUR-1/TR	17.2900	RFQ	9733	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5532BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V				12 v	90欧姆
JANTX1N5614US	9.4050	RFQ	9920	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5614	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N5620U	57.3900	RFQ	7086	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
JANTX1N6486D	-	RFQ	3810	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
JANTXV1N3018C-1	30.4350	RFQ	6131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3018		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
1N5938CE3/TR13	-	RFQ	5890	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5938		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
1N979B-1	3.7350	RFQ	4714	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N979B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 43 V				56 v	150欧姆
LSM1100G/TR13	1.3050	RFQ	4681	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					LSM1100				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
jankca1n5546c	-	RFQ	7416	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5546C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²