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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTX1N6352CUS/TR | - | ![]() | 8155 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANTX1N6352CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 114 V | 150 v | 1000欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N4972CUS/TR | 368.3100 | ![]() | 1905年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANS1N4972CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 29.7 V | 39 v | 14欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N4490US/TR | 162.1650 | ![]() | 6759 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANS1N4490US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 88 V | 110 v | 300欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N6334CUS/TR | 57.2550 | ![]() | 9263 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANTXV1N6334CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 21 V | 27 V | 27欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N4472CUS/TR | 45.2850 | ![]() | 3144 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4472CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 16 V | 20 v | 12欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N4987US/TR | 21.8400 | ![]() | 8873 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4987US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 121.6 V | 160 v | 350欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n4148ub2r/tr | 23.1600 | ![]() | 1502 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/116 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | 标准,反极性 | UB2 | - | 150-JAN1N4148UB2R/TR | 100 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C 〜200°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||
![]() | JAN1N6337CUS/TR | 63.8550 | ![]() | 3893 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JAN1N6337CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 27 V | 36 V | 50欧姆 | ||||||||
Jan1n6487us/tr | - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JAN1N6487US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 35 µA @ 1 V | 3.9 v | 9欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N4968CUS/TR | 41.0400 | ![]() | 4067 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4968CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 6欧姆 | ||||||||
JANTX1N6349US/TR | 18.2400 | ![]() | 5045 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANTX1N6349US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 84 V | 110 v | 500欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N4468DUS/TR | 330.4050 | ![]() | 6542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANS1N4468DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 10.4 V | 13 V | 8欧姆 | ||||||||
![]() | Jan1n4985us/tr | 13.4100 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4985US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 98.8 V | 130 v | 190欧姆 | ||||||||
![]() | 1N6021ur/tr | 3.7350 | ![]() | 8687 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N6021ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 75 v | ||||||||||
![]() | Jan1n6635us/tr | - | ![]() | 6305 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JAN1N6635US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 1 V | 4.3 v | 2欧姆 | ||||||||
![]() | JANTX1N5194UR/TR | - | ![]() | 2441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | Sigma Bond™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | 150-JANTX1N5194UR/TR | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 100 ma | 25 NA @ 70 V | -55°C 〜200°C | 200mA | - | |||||||||
![]() | JANTXV1N4983DUS/TR | 51.2700 | ![]() | 1152 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4983DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 83.6 V | 110 v | 125欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N5804urs/tr | 118.5600 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/477 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | - | 150-JANS1N5804urs/tr | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | JAN1N3595AR-1/TR | 9.4900 | ![]() | 9567 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/241 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | 150-JAN1N3595AR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 125 v | 920 MV @ 100 mA | 3 µs | 2 NA @ 125 V | -65°C〜175°C | 150mA | - | ||||||
![]() | JANTX1N4995DUS/TR | - | ![]() | 6475 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTX1N4995DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 274 V | 360 v | 1400欧姆 | ||||||||
JANTXV1N6355US/TR | - | ![]() | 8603 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | 下载 | 150-JANTXV1N6355US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 152 V | 200 v | 1800欧姆 | |||||||||
![]() | 1N4133ur/tr | 3.9450 | ![]() | 3582 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-STD-750 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N4133ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 249 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 66.12 V | 87 v | 1000欧姆 | ||||||||
![]() | JANS1N4986DUS/TR | 528.1050 | ![]() | 3070 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANS1N4986DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 114 V | 150 v | 330欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N992DUR-1/TR | - | ![]() | 8029 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | 下载 | 150-JANTXV1N992DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 152 V | 200 v | 2500欧姆 | ||||||||
JAN1N6353CUS/TR | - | ![]() | 7684 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JAN1N6353CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 122 V | 160 v | 1200欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N6332DUS/TR | 68.7000 | ![]() | 8175 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANTXV1N6332DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 17 V | 22 v | 20欧姆 | ||||||||
![]() | 1N992BUR-1/TR | 10.6400 | ![]() | 5350 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 152 V | 200 v | 2500欧姆 | |||||||||
![]() | 1N3024BUR-1/TR | 15.4500 | ![]() | 5505 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 v | 14欧姆 | |||||||||
![]() | 1N6009ur-1/tr | 3.7400 | ![]() | 6221 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 24 V | |||||||||||
1N6350US/TR | 14.7900 | ![]() | 9092 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 91 V | 120 v | 600欧姆 |
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