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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N6490US/TR	-	RFQ	7380	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6490US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
JANTXV1N4105DUR-1	-	RFQ	3441	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
JANTX1N5804US	8.4900	RFQ	3739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5804	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
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UES702R	58.9950	RFQ	7186	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UES702	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	950 MV @ 25 A	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	25a	-
UZ114	22.4400	RFQ	1723年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ114	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 106 V				140 v	550欧姆
1 PMT4107E3/TR7	0.4950	RFQ	3966	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.87 V				13 V	200欧姆
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Jan1n5614us	8.5050	RFQ	8655	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5614	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	-
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R702	69.2100	RFQ	4307	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	R702	标准		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	R702MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.4 V @ 15 A	200 ns	1 mA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
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JAN1N4477DUS	34.6050	RFQ	8941	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4477		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 26.4 V				33 V	25欧姆
JANTXV1N2845RB	-	RFQ	9643	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2845		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 136.8 V				180 v	90欧姆
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Jan1n4989d	36.9450	RFQ	9011	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4989		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆
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CDLL5947B	3.9300	RFQ	1253	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5947		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 v	160欧姆
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JAN1N6317DUS	48.9150	RFQ	2906	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6317		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
JANTXV1N6311CUS	54.8400	RFQ	8150	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6311		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
1N5812	62.2350	RFQ	1005	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5812	标准		do-203aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	950 mv @ 20 a	15 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
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JANTXV1N751A-1	7.1700	RFQ	1958年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N751		500兆	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
2ez91d5	-	RFQ	4773	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2EZ91		2 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 69.2 V				91 v	125欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²