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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4954US	115.5000	RFQ	6175	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
JANS1N4958	103.9500	RFQ	7010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
JANS1N4959US	115.5000	RFQ	8099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5欧姆
JANS1N4960	80.1900	RFQ	9106	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	2.5欧姆
JANS1N4961	80.1900	RFQ	8504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响	2266-JANS1N4961	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.9 V				13 V	3欧姆
JANS1N4964	80.1900	RFQ	9168	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
JANS1N4969	80.1900	RFQ	2571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V				30 V	8欧姆
JANS1N4971	80.1900	RFQ	7418	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V				36 V	11欧姆
JANS1N4981	80.1900	RFQ	1039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V				91 v	90欧姆
JANS1N4988US	115.5000	RFQ	2066	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JANS1N5550	81.1500	RFQ	1982	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.2 V @ 9 A	2 µs		-65°C〜175°C	5a	-
JANS1N5554US	107.7300	RFQ	4975	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N5619	67.0500	RFQ	5473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns		-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N5623	85.4400	RFQ	1061	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.6 V @ 3 A	500 ns		-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N5804US	37.2450	RFQ	5374	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	975 MV @ 2.5 A	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANS1N6309US	136.0950	RFQ	1203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANS1N6314	114.5850	RFQ	1919年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
JANS1N6322	114.5850	RFQ	6089	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
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JANS1N6330US	136.0950	RFQ	4921	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
JANS1N6331	114.5850	RFQ	4625	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
JANS1N6332	114.5850	RFQ	1775年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
JANS1N6333US	134.8050	RFQ	9843	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6333		500兆	B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
JANS1N6637	-	RFQ	8888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				5.1 v	1.5欧姆
JANS1N827UR-1	195.9900	RFQ	2790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
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JANTX1N2979RB	-	RFQ	7143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	3欧姆
JANTX1N3168	-	RFQ	6892	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.55 V @ 940 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTX1N3324B	-	RFQ	4607	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 22.8 V				30 V	3欧姆
JANTX1N3909A	-	RFQ	2491	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²