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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CD6341	2.1014	RFQ	1526年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6341	Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n6642us	7.7100	RFQ	9866	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	40pf @ 0v，1MHz
1N1343	45.3600	RFQ	7029	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1343	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTX1N6326DUS/TR	51.4843	RFQ	1454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6326DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
Jan1n4465c	16.7700	RFQ	6859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4465		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
JANTXV1N982CUR-1/TR	17.3166	RFQ	4456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N982CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
1N5274-1	3.0750	RFQ	4348	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5274-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
JANTX1N4624CUR-1	29.2650	RFQ	7292	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4624		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
1N2068R	158.8200	RFQ	9695	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2068R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1月1N980C-1	4.8300	RFQ	5186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
Jan1n4550rb	-	RFQ	7104	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 mV				4.3 v	0.16欧姆
1N1345B	45.3600	RFQ	4153	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1345	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	16a	-
UPS5819/TR7	0.6150	RFQ	8250	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS5819	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
CDLL5248	2.8650	RFQ	1507	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5248		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				18 V	21欧姆
1N4938UR-1	3.4650	RFQ	3024	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N4938	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	175 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	-65°C〜175°C	100mA	-
1N825-1E3/tr	8.5950	RFQ	1888年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N825-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
Jan1n6486us/tr	-	RFQ	9520	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JAN1N6486US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
1N829AUR/TR	37.7000	RFQ	4021	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	100					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
1N4949SM/TR	13.3350	RFQ	3792	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-1N4949SM/TR			100
CDLL5534A/TR	5.9052	RFQ	1669年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5534A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.5 V				14 V	100欧姆
1N4131	-	RFQ	8016	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q8115035	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
jankca1n5546c	-	RFQ	7416	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5546C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
JANTX1N6677-1/TR	-	RFQ	6027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6677-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
JAN1N3040DUR-1/TR	36.2558	RFQ	4026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3040DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
JANTXV1N6628/TR	19.5900	RFQ	9273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6628/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
ST6060	78.9000	RFQ	2223	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST6060	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	20a	-
JANS1N4493CUS	283.8300	RFQ	7268	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4493CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
CDLL4463	11.3550	RFQ	6489	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4463		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V				8.2 v	3欧姆
1N4573ur-1/tr	18.7050	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4573UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	100					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
CD5523B	2.0482	RFQ	7526	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5523B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 v	26欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²