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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1月1N4133-1	3.5250	RFQ	3096	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4133			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1000欧姆
JANTXV1N3043C-1/TR	33.0901	RFQ	2459	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3043C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
1N4754Age3/tr	3.1255	RFQ	2479	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4754AGE3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANTX1N5536DUR-1/TR	42.0014	RFQ	9067	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5536DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
DSB0.2A30	-	RFQ	3819	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	650 MV @ 500 mA		10 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
JANTX1N5968DUS	-	RFQ	7974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
HSM120G/TR13	1.6800	RFQ	5484	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					HSM120				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
SMAJ4731E3/TR13	0.6450	RFQ	8154	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ473		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
1月1N5622	6.0000	RFQ	6715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5622	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1N2817RB	96.0150	RFQ	4687	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2817		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 14.4 V				19 v	2.2欧姆
Janhca1n5526d	-	RFQ	3050	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5526d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
UES703	53.5950	RFQ	5119	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	950 MV @ 25 A	35 ns	20 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	25a	-
UZ7770	468.9900	RFQ	2165	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7770	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 53.2 V				70 v	40欧姆
JANTXV1N6672	-	RFQ	3705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/617	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.55 V @ 20 A	35 ns	50 µA @ 240 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
JANTX1N6630	15.1350	RFQ	1371	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			通过洞	E，轴向		标准		E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	900 v	1.7 V @ 3 A	50 ns	2 µA @ 990 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 10V，1MHz
JAN1N4105C-1	10.5000	RFQ	2855	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4105			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
UPR15/TR7	1.3500	RFQ	9305	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR15	标准		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	2.5a	-
R20150	33.4500	RFQ	7130	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R20150			1
JANTX1N4465US	15.5000	RFQ	198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N4465		1.5 w	Melf，D5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
CDLL5946D	11.7300	RFQ	4622	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5946		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
JANTX1N4991DUS	69.6900	RFQ	7772	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 182 V				240 v	650欧姆
JANTXV1N3311RB	-	RFQ	4340	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	1欧姆
1N5230BUR-1	4.7700	RFQ	6317	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 2 V				4.7 v	19欧姆
UZ5230	32.2650	RFQ	9545	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5230	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 210 V				300 v	950欧姆
JAN1N3321RB	-	RFQ	6717	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 18.2 V				24 V	2.6欧姆
CDLL6761/TR	99.4500	RFQ	5618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL6761	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N4938-1/TR	-	RFQ	5219	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/169	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4938-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	175 v	1 V @ 30 mA	50 ns	100 PA @ 175 V	-65°C〜175°C	-	-
1N4148-1E3	1.8200	RFQ	371	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4148	标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N4102C-1	23.1600	RFQ	8472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4102		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
1月1N966DUR-1	14.2500	RFQ	5885	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N966		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²