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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N3825C-1	21.9600	RFQ	9222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3825		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
1N5832	57.4200	RFQ	7912	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N5832	肖特基		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5832MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	520 mv @ 40 a		20 ma @ 20 V	-65°C〜125°C	40a	-
JANS1N4988D	519.7200	RFQ	4927	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4988D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
CD965B	1.5162	RFQ	7507	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD965B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		500 na @ 11 V				15 v	16欧姆
1N4246	3.7800	RFQ	8631	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4246	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N5343E3/TR8	2.6250	RFQ	9373	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5343		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.4 V				7.5 v	1.5欧姆
1N4896/tr	24.3450	RFQ	8941	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4896/tr	Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	400欧姆
UFR3150R	99.3300	RFQ	9306	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UFR3150	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.25 V @ 30 A	50 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	30a	115pf @ 10V，1MHz
1N4746AE3	3.8400	RFQ	1539年	微芯片技术	-	包	积极的	-	-	-	-	1N4746			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1N4746AE3MS	Ear99	8541.10.0050	1
1N4766	81.6750	RFQ	9727	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4766		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									9.1 v	350欧姆
MSASC75H100FX/TR	-	RFQ	2027	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75H100FX/TR			100
1N6075US	17.7300	RFQ	3115	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6075	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	3a	-
1N4738AE3/TR13	0.8700	RFQ	1928年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w	DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
JANTXV1N4582A-1/TR	11.6250	RFQ	2257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4582A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
Jan1n6349d	49.5300	RFQ	8614	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6349D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
CDLL5269C	6.7200	RFQ	5449	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5269C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 68 V				87 v	370欧姆
SMBJ5342C/TR13	2.1900	RFQ	6963	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5342		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
JANTX1N945BUR-1/TR	-	RFQ	2959	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N945BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N4100-1	2.4750	RFQ	5642	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4100		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
JANTXV1N3995RA	-	RFQ	1202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		50 µA @ 1 V				4.7 v	1.2欧姆
1N986B/tr	2.0083	RFQ	4074	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N986B/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 83.6 V				110 v	750欧姆
1N4754E3/TR13	0.8100	RFQ	3048	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4754		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANTXV1N976DUR-1/TR	21.6258	RFQ	8515	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N976DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
1N4112ur/tr	3.5245	RFQ	2934	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4112ur/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.67 V				18 V	100欧姆
JANTXV1N2995RB	-	RFQ	8509	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 35.8 V				47 V	14欧姆
JANTXV1N5521CUR-1/TR	44.0363	RFQ	2607	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5521CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
SMBJ5345AE3/TR13	0.8100	RFQ	7107	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5345		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 6.25 V				8.7 v	2欧姆
1n6330us/tr	15.0600	RFQ	9066	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-1N6330us/tr	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
1N4922/tr	20.2950	RFQ	1673年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4922/tr	Ear99	8541.10.0050	1									19.2 v	150欧姆
1N4483	9.5850	RFQ	7448	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4483		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4483MS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²