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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N6620	13.1100	RFQ	5007	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6620	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		220 v		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.2a	-
SMBJ5347A/TR13	1.6350	RFQ	6400	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5347		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 7.2 V				10 v	2欧姆
1 PMT5943C/TR7	2.7600	RFQ	4845	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
1N5942B	3.4050	RFQ	2933	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5942		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V				51 v	70欧姆
Jan1n3170r	-	RFQ	8784	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.55 V @ 940 A		10 ma @ 600 V	-65°C 〜200°C	300A	-
1N4758CE3/TR13	1.1700	RFQ	7578	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4758		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
1 PMT4100CE3/TR13	0.4950	RFQ	9224	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
JANTXV1N3017B-1	11.8800	RFQ	2387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3017		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
JANTXV1N3340RB	-	RFQ	9747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
CDLL986	8.1150	RFQ	5879	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL986		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 84 V				110 v	750欧姆
HSM580JE3/TR13	0.9750	RFQ	1456	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	HSM580	肖特基		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		800 mv @ 5 a		250 µA @ 80 V	-55°C 〜175°C	5a	-
JANTXV1N4621C-1/TR	13.2335	RFQ	8641	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4621C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
CD030B-1/TR	-	RFQ	5027	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3030B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
CDS5523BUR-1	-	RFQ	2724	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDS5523BUR-1	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4482DUS	56.4150	RFQ	1109	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4482DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 40.8 V				51 v	60欧姆
JANTXV1N4461DUS/TR	17.7750	RFQ	7253	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N444461DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 4.08 V				6.8 v	2.5欧姆
SMBJ5354B/TR13	1.5600	RFQ	8154	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5354		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 12.2 V				17 V	2.5欧姆
JAN1N4114DUR-1	18.2400	RFQ	1617年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4114			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
1N5355CE3/TR8	3.3900	RFQ	2420	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13 V				18 V	2.5欧姆
1N1398	38.3850	RFQ	5478	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N1398	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	100a	-
JANTX1N4115-1	4.4250	RFQ	3912	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4115		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
1N6622E3/tr	13.5750	RFQ	6153	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		-		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6622E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1.6 V @ 2 A	30 ns		-	-	-
1 PMT4625/TR13	-	RFQ	6419	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4625		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
SMAJ4759CE3/TR13	0.6450	RFQ	1984	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4759		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
JANTX1N6638U	7.0050	RFQ	2839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6638	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		125 v		1.1 V @ 200 ma	4.5 ns	500 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	300mA	-
UPS120EE3/TR7	0.5000	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS120	肖特基		PowerMite 1（DO216-AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		530 MV @ 1 A		10 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
CDLL5250B	2.0850	RFQ	3775	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5250		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 15 V				20 v	25欧姆
JANTXV1N6674	-	RFQ	2114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/617	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N6674	标准		TO-254AA	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	500 v	15a	1.55 V @ 20 A	35 ns	5 ma @ 400 V	-
1N5368AE3/TR12	2.6250	RFQ	4445	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 33.8 V				47 V	25欧姆
SMBJ5377C/TR13	2.1900	RFQ	3298	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5377		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 65.5 V				91 v	75欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²