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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4150ur-1/tr	1.4000	RFQ	9975	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	1N4150	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	676	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N4478C	30.7500	RFQ	5946	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4478		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
CDLL5277C	6.7200	RFQ	1719年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5277C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V				160 v	1700欧姆
JANS1N4582AR-1	123.7500	RFQ	8041	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N3514A	2.4900	RFQ	1500	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3514		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						6.8 v	3欧姆
1N4756ur-1/tr	3.6200	RFQ	1985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
1N5926E3/TR13	-	RFQ	6039	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
CDLL4700	3.3000	RFQ	1094	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4700		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.8 V				13 V
JANTXV1N6625US/TR	21.0750	RFQ	8606	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6625US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	-
CDLL4899	116.7900	RFQ	6661	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4899		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	400欧姆
1 PMT4122CE3/TR7	0.4950	RFQ	6058	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4122		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆
R42100T	59.8350	RFQ	7499	微芯片技术	R42	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R42100	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	125a	-
1N2807A	94.8900	RFQ	8900	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2807		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V				9.1 v	0.5欧姆
1 PMT5928A/TR13	2.2200	RFQ	7944	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
JANS1N6874UTK2	608.4000	RFQ	4923	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANS1N6874UTK2	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
1N4755P/TR8	-	RFQ	1550	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4755		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	70欧姆
JANS1N4491CUS/TR	283.9800	RFQ	5718	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4491CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
JANTXV1N5541DUR-1	61.9050	RFQ	8452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5541		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V				22 v	100欧姆
1N5370/TR12	2.6250	RFQ	9081	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
MSASC75H100FX/TR	-	RFQ	2027	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75H100FX/TR			100
JAN1N5526D-1	17.6700	RFQ	4668	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5526		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
1N1200BR	34.7100	RFQ	9806	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1200	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
1N5927B/TR	2.8462	RFQ	5962	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.25 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5927B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
CDLL4627	3.9750	RFQ	8934	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4627		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
JANTXV1N2845B	-	RFQ	7470	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2845		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 136.8 V				180 v	90欧姆
JANTX1N3827D-1/TR	24.4986	RFQ	7936	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3827D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
CDLL5525D	16.2000	RFQ	8476	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5525D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
JANTXV1N3821D-1	36.1800	RFQ	4581	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3821		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTXV1N55330D-1	29.2200	RFQ	9167	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5530		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
1N3043A-1	8.1900	RFQ	8938	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3043		1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N3043A-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 69.2 V				91 v	250欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²