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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4903	158.8650	RFQ	9636	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4903		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	200欧姆
Janhca1n4620	12.1695	RFQ	6728	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4620	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1650年
CDLL6326/tr	13.1404	RFQ	2930	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6326/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
JANTXV1N6845U3	-	RFQ	3758	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/682	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		U3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	860 mv @ 40 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	30a	800pf @ 5V，1MHz
1 PMT5928A/TR13	2.2200	RFQ	7944	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
1N3514A	2.4900	RFQ	1500	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3514		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						6.8 v	3欧姆
1月1N3893AR	333.0150	RFQ	5386	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 38 A	150 ns		-65°C〜175°C	20a	115pf @ 10V，1MHz
SMBJ4733A/TR13	0.8850	RFQ	8150	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4733		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N6625US	15.1800	RFQ	4674	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6625	标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1N6334US	-	RFQ	4404	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 21 V				27 V	27欧姆
JANTXV1N3995RA	-	RFQ	1202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		50 µA @ 1 V				4.7 v	1.2欧姆
JANS1N4468DUS/TR	330.4050	RFQ	6542	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4468DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 10.4 V				13 V	8欧姆
JANTXV1N6342D	46.9200	RFQ	1307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6342D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V				56 v	100欧姆
JANTXV1N5525B-1/TR	8.2327	RFQ	5492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5525B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
JANTX1N4621UR-1	9.0450	RFQ	6303	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4621		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANTX1N4558RB	-	RFQ	4963	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		150 µA @ 500 mV				4.3 v	0.16欧姆
UTR2320	11.8800	RFQ	6925	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR2320	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.1 V @ 2 A	250 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	2a	320pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N981C-1/TR	6.8628	RFQ	7619	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N981C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
JANTX1N6626	15.3600	RFQ	9297	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			通过洞	E，轴向	1N6626	标准			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	220 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JANTX1N4967DUS/TR	30.9000	RFQ	7713	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4967DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
CDLL4700C/TR	6.7950	RFQ	8080	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4700C/TR	Ear99	8541.10.0050	139			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.8 V				13 V
JANTX1N3890A	344.1450	RFQ	1143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3890	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 20 A	200 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	12a	-
1N2996B	-	RFQ	1776年	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2996		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N2996B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 36 V				50 V	15欧姆
JAN1N4565AR-1	5.2200	RFQ	3051	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4565		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANTX1N6329	14.6100	RFQ	4877	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V				16 V	12欧姆
JANTX1N6318D	39.7950	RFQ	6391	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6318		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
S3540	36.6600	RFQ	8152	微芯片技术	S35	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S354	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.25 V @ 200 A	5 µs	25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JAN1N4126DUR-1	27.9150	RFQ	5057	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4126			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V				51 v	300欧姆
1N752A-1/TR	2.0748	RFQ	2855	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N752A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
JANTXV1N5623US	14.2500	RFQ	7299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5623	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.6 V @ 3 A	500 ns	500 NA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 12V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²