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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANS1N5811URS/TR Microchip Technology JANS1N5811urs/tr 147.6300
RFQ
ECAD 3765 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/477 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 标准 B,平方米 150-JANS1N5811URS/TR 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N6323DUS/TR Microchip Technology JANTXV1N6323DUS/TR 71.5350
RFQ
ECAD 4713 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 150-JANTXV1N6323DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 7 V 9.1 v 6欧姆
JAN1N6331DUS/TR Microchip Technology JAN1N63331DUS/TR 38.3700
RFQ
ECAD 4634 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 150-JAN1N6331DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 na @ 15 V 20 v 18欧姆
JAN1N6311CUS/TR Microchip Technology JAN1N6311CUS/TR 39.2850
RFQ
ECAD 2162 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 150-JAN1N6311CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANS1N4492DUS/TR Microchip Technology JANS1N4492DUS/TR 330.4050
RFQ
ECAD 7896 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 150-JANS1N4492DUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 V @ 1 A 250 na @ 104 V 130 v 500欧姆
JANTXV1N4470CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N4470CUS/TR 45.2850
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 150-JANTXV1N4470CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 na @ 12.8 V 16 V 10欧姆
1N5949BUR-1/TR Microchip Technology 1N5949BUR-1/TR 4.6800
RFQ
ECAD 6439 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.25 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 209 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 76 V 100 v 250欧姆
1N5802URS/TR Microchip Technology 1n5802urs/tr 32.5400
RFQ
ECAD 5212 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 标准 a,平方米 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
1N5253BUR-1/TR Microchip Technology 1N5253BUR-1/TR 3.0200
RFQ
ECAD 5867 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 329 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
1N4113UR/TR Microchip Technology 1N4113ur/tr 3.9400
RFQ
ECAD 5637 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 14.44 V 19 v 150欧姆
1N4480US/TR Microchip Technology 1N4480US/TR 11.6100
RFQ
ECAD 8991 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 34.4 V 43 V 40欧姆
1N3035BUR-1/TR Microchip Technology 1N3035BUR-1/TR 15.4500
RFQ
ECAD 6771 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 100 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 32.7 V 43 V 70欧姆
1N821AUR-1/TR Microchip Technology 1N821AUR-1/TR 4.3800
RFQ
ECAD 3937 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 224 2 µA @ 3 V 6.2 v 10欧姆
1N4480USE3/TR Microchip Technology 1N4480USE3/tr 11.5000
RFQ
ECAD 8892 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 Ear99 8541.10.0050 100
1N4123UR/TR Microchip Technology 1N4123ur/tr 3.9400
RFQ
ECAD 8746 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 29.65 V 39 v 200欧姆
1N4695UR-1/TR Microchip Technology 1N4695ur-1/tr 5.2400
RFQ
ECAD 8262 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 ma 1 µA @ 6.6 V 8.7 v
1N5927BUR-1/TR Microchip Technology 1N5927BUR-1/TR 4.2200
RFQ
ECAD 4044 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.25 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 233 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 6.5欧姆
1N4532UR/TR Microchip Technology 1N4532ur/tr 2.9000
RFQ
ECAD 7869 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 345
1N4580AUR-1/TR Microchip Technology 1N4580AR-1/TR 5.5800
RFQ
ECAD 8760 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 175 2 µA @ 3 V 25欧姆
1N3034BUR-1/TR Microchip Technology 1N3034BUR​​ -1/tr 15.4500
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 100 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 29.7 V 39 v 60欧姆
1N5918BUR-1/TR Microchip Technology 1N5918BUR-1/TR 4.2200
RFQ
ECAD 4222 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.25 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 233 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 4欧姆
1N6317DUS/TR Microchip Technology 1N6317DUS/TR 36.7400
RFQ
ECAD 1131 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 2 V 5.1 v 14欧姆
1N6353US/TR Microchip Technology 1N6353US/TR 17.9600
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 122 V 160 v 1200欧姆
1N4763AUR/TR Microchip Technology 1N47633龙/tr 3.6200
RFQ
ECAD 3379 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
1N646UR-1/TR Microchip Technology 1N646ur-1/tr 5.4400
RFQ
ECAD 6624 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-213aa 标准 do-213aa 179 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1 V @ 400 MA 200 NA @ 300 V -65°C〜175°C 400mA -
1N4756AUR/TR Microchip Technology 1N4756AUR/TR 3.6200
RFQ
ECAD 9933 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N4737UR-1/TR Microchip Technology 1N4737ur-1/tr 3.8000
RFQ
ECAD 5450 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 258 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
1N4712UR-1/TR Microchip Technology 1N4712UR-1/TR 5.2400
RFQ
ECAD 7397 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 ma 10 na @ 21.2 V 28 V
1N5923BUR-1/TR Microchip Technology 1N5923BUR-1/TR 4.2200
RFQ
ECAD 9098 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.25 w DO-213AB(梅尔,LL41) Ear99 8541.10.0050 233 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 6.5 V 8.2 v 3.5欧姆
1N4131UR-1/TR Microchip Technology 1N4131UR-1/tr 3.9400
RFQ
ECAD 7162 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 57 V 75 v 700欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库