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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n3330b | - | ![]() | 2378 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/158 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3330 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 5欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL4773 | 135.4500 | ![]() | 6151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4773 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9.1 v | 200欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTX1N4371CUR-1 | 15.4650 | ![]() | 6904 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4371 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30欧姆 | |||||||||
![]() | CD5266B | 1.4497 | ![]() | 5399 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5266B | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 52 V | 68 v | 230欧姆 | ||||||||||
![]() | CDLL4704C/TR | 7.5450 | ![]() | 8518 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL4704C/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 125 | 1.1 V @ 200 ma | 50 na @ 12.9 V | 17 V | ||||||||||||
![]() | JAN1N6326DUS | 38.2200 | ![]() | 4674 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N6326DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N4568AR-1 | - | ![]() | 5891 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | |||||||||||
JANTX1N4975 | 7.4200 | ![]() | 460 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4975 | 5 w | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 38.8 V | 51 v | 27欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTXV1N4489D | 41.2350 | ![]() | 8722 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1.5 w | do-41 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4489D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 80 V | 100 v | 250欧姆 | |||||||||||
CDS5711UR-1 | 182.1000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS5711 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5271D | 7.9534 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 10兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5271D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 NA @ 76 V | 100 v | 500欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N4620CUR-1 | 34.0665 | ![]() | 7839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4620 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650年 | ||||||||||
![]() | 1N1583 | 38.3850 | ![]() | 8953 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N1583 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 16a | - | ||||||||||
![]() | JANTX1N6910UTK2CS | - | ![]() | 5932 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/723 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™2 | 肖特基 | Thinkey™2 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6910UTK2CS | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 15 v | 520 mv @ 25 A | 1.2 ma @ 15 V | -65°C〜150°C | 25a | 2000pf @ 5V,1MHz | ||||||||||
1N5528B | 1.8150 | ![]() | 6498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5528 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.5 V | 8.2 v | 40欧姆 | |||||||||||
JANS1N6642UB2R | 80.1900 | ![]() | 8122 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | - | - | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||
![]() | SMBJ5376CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 6274 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5376 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 63 V | 87 v | 75欧姆 | |||||||||
![]() | 1N3883 | 47.0100 | ![]() | 1695年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3883 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3883MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 6a | 115pf @ 10V,1MHz | |||||||
![]() | SMAJ5925BE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 4487 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | SMAJ5925 | 3 W | DO-214AC(SMAJ) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 8 V | 10 v | 4.5欧姆 | |||||||||
![]() | UZ5140 | 32.2650 | ![]() | 7177 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | B,轴向 | 5 w | B,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UZ5140 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 304 V | 400 v | 1800欧姆 | ||||||||||||
![]() | 1N5370A/TR12 | - | ![]() | 7754 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5370 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 40.3 V | 56 v | 35欧姆 | |||||||||
![]() | 1N1346C | 45.3600 | ![]() | 4508 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1346 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 16a | - | |||||||||
![]() | 1N6323US/TR | 14.8200 | ![]() | 7330 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-1N6323US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6欧姆 | |||||||||||
![]() | CDLL4911A | 122.7450 | ![]() | 8409 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4911 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 v | 50欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N3261 | 151.2750 | ![]() | 8234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 1N3261 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3261MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 100 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | ||||||||
JANTXV1N4481US | 17.6250 | ![]() | 8367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4481 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 37.6 V | 47 V | 50欧姆 | ||||||||||
1月1N6625 | 11.2950 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N6625 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.75 V @ 1 A | 30 ns | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||
![]() | 1N4467 | 7.2750 | ![]() | 9574 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N4467 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N4467MS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 200 na @ 9.6 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||||
![]() | SMBG5372CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 3253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5372 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 44.6 V | 62 v | 42欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N3346RB | - | ![]() | 9135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 114 V | 150 v | 75欧姆 |
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