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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SMBJ5915B/TR13	1.5600	RFQ	6016	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5915		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	7.5欧姆
JANTXV1N5537CUR-1	49.5150	RFQ	9882	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5537		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
MBR40100PTE3/TU	1.2800	RFQ	1	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	MBR40100	肖特基		TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	100 v	40a				175°c （最大）
1N5247b/tr	3.6442	RFQ	6270	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5247b/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 13 V				17 V	19欧姆
1N2795	74.5200	RFQ	4639	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2795	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1.19 V @ 40 mA	5 µs	10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	5a	-
Jan1n4986us	13.2600	RFQ	7932	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4986		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 114 V				150 v	330欧姆
1N5920CP/TR8	2.2800	RFQ	2281	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5920		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
JANTXV1N978D-1	13.2450	RFQ	9675	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
JANS1N4114D-1	101.3100	RFQ	4187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
1N5919C	6.0300	RFQ	5188	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5919		1.19 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
1N2283	74.5200	RFQ	9307	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2283	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	20a	-
UFR7140	99.3000	RFQ	9881	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UFR7140	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.25 V @ 70 A	75 ns	25 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	-	150pf @ 10V，1MHz
1N6858-1	8.1150	RFQ	5191	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6858	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v		650 mv @ 15 ma		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	75mA	4.5pf @ 0v，1MHz
Jan1n4465c	16.7700	RFQ	6859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4465		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
1N5551	6.0450	RFQ	5321	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5551	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
Jan1n6857ur-1	-	RFQ	3485	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		16 V		750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N6620	13.1100	RFQ	5007	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6620	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		220 v		1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.2a	-
SBR3050	51.2250	RFQ	7999	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	SBR3050	肖特基		do-203aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SBR3050-NDR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		630 MV @ 30 A		1.5 ma @ 50 V		30a	-
HSM350GE3/TR13	0.9900	RFQ	5292	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	HSM350	肖特基		do-215ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		620 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-55°C 〜175°C	3a	-
HSM880J/TR13	2.2950	RFQ	2510	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	HSM880	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		780 mv @ 8 a		500 µA @ 80 V	-55°C 〜175°C	8a	-
UFR3015	51.4650	RFQ	6342	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		975 MV @ 30 A	35 ns		175°c （最大）	30a	140pf @ 10V，1MHz
1N6027C	5.6250	RFQ	5651	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6027		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 99 V				130 v	950欧姆
1N4683UR-1	5.0850	RFQ	3622	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4683		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 ma		800 na @ 1 V				3 V
JANS1N4487D	343.5150	RFQ	5499	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANS1N4487D	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 na @ 65.6 V				82 v	160欧姆
1n6642us/tr	7.0350	RFQ	4471	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	136	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
Jan1n6332us	15.9300	RFQ	9790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6332		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
JANS1N4460C	207.1050	RFQ	2935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V				6.2 v	4欧姆
1N5357CE3/TR12	3.3900	RFQ	1961年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
JANTX1N5619US/TR	9.2400	RFQ	8491	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5619US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.6 V @ 3 A	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 12V，1MHz
SMAJ4757E3/TR13	0.6450	RFQ	3281	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4757		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²