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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4993C	249.4500	RFQ	5519	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 228 V				300 v	950欧姆
CDS5536BUR-1/TR	-	RFQ	5205	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5536BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N4370	2.1900	RFQ	4512	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4370		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N5736C	3.7200	RFQ	6630	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5736		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
1N5417-1/tr	5.0250	RFQ	6540	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准，反极性		b	-			到达不受影响	150-1N5417-1/tr	Ear99	8541.10.0080	188	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N6626US/TR	18.4500	RFQ	4992	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6626US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.35 V @ 2 A	45 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1.75a	-
JANTXV1N3038D-1/TR	32.2392	RFQ	1554年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3038D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
JANTX1N746CUR-1	-	RFQ	2550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	在sic中停产	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
1N4759AG/TR	3.3300	RFQ	9255	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4759AG/TR	Ear99	8541.10.0050	285			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
JANS1N4108-1/TR	31.6700	RFQ	5952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4108-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
JANS1N6620U	108.4800	RFQ	9508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.6 V @ 2 A	45 ns		-65°C〜150°C	1.2a	-
1N6320	8.4150	RFQ	8317	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6320		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
JANTX1N2805RB	-	RFQ	9795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2805		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
SMAJ5945BE3/TR13	0.6450	RFQ	4139	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5945		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V				68 v	120欧姆
JANTXV1N4478C	30.7500	RFQ	5946	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4478		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 28.8 V				36 V	27欧姆
JAN1N3024CUR-1/TR	29.0339	RFQ	6162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3024CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
SMBG5387BE3/TR13	1.1400	RFQ	3040	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5387		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 137 V				190 v	450欧姆
JANS1N935BUR-1/TR	-	RFQ	6382	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N935BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9 V	20欧姆
CDLL5541B/TR	5.9052	RFQ	4806	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5541B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V				22 v	100欧姆
JANTXV1N4984C	2000年222日	RFQ	2742	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4984C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V				120 v	170欧姆
JANS1N4109CUR-1	98.9100	RFQ	5647	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
1月1N6320/tr	-	RFQ	2266	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6320		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
JANTX1N4623DUR-1/TR	29.6723	RFQ	6768	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4623DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
JANS1N6319D	350.3400	RFQ	4265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6319		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
JANTX1N6314	-	RFQ	9741	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
CDLL971B	2.8650	RFQ	5779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL971		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V				27 V	41欧姆
JANTX1N977DUR-1	19.4700	RFQ	6061	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N977		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 36 V				47 V	105欧姆
JAN1N4971CUS/TR	21.3150	RFQ	4840	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4971CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V				36 V	11欧姆
JANTXV1N987B-1/TR	-	RFQ	4129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N987B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 91.2 V				120 v	900欧姆
CDLL4765	64.8450	RFQ	9126	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4765		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 v	350欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²