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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N972B-1	2.0700	RFQ	4165	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V						27 V	49欧姆
483-03	478.0950	RFQ	3423	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	底盘安装	我		标准		我	到达不受影响	2266-483-03	Ear99	8541.10.0080	1					1.3 V @ 39 A		1 µA @ 600 V		25 a		三期	600 v
684-1	312.7800	RFQ	2416	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜150°C	底盘安装	4，NB		标准		NB	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					1.2 V @ 2 A		5 µA @ 100 V		10 a		单相	100 v
Jan1n2844b	-	RFQ	9644	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2844		10 W	TO-204AD（TO-3）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V						160 v	80欧姆
1月1N3289	-	RFQ	4072	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.55 V @ 310 A		10 mA @ 200 V	-65°C 〜200°C	100a	-
1月1N3294	-	RFQ	1786年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.55 V @ 310 A		10 ma @ 800 V	-65°C 〜200°C	100a	-
Jan1n3335b	-	RFQ	5211	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 47.1 V						62 v	7欧姆
Jan1n3337b	-	RFQ	5330	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 56 V						75 v	9欧姆
Jan1n3595us	9.6750	RFQ	9928	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		125 v		1 V @ 200 MA	3 µs		-65°C〜150°C	4a	-
1月1N3828A-1	6.8400	RFQ	4715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 3 V						6.2 v	2欧姆
1月1N3911	-	RFQ	4602	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
Jan1n5822us	70.2600	RFQ	8559	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		肖特基		B，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		500 mv @ 3 a			-65°C〜150°C	3a	-
1月1N6306	-	RFQ	9356	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	70a
1月1N6485	-	RFQ	3837	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
Jan1n649ur-1	-	RFQ	1730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
Jan1n7047cct3	114.5700	RFQ	5159	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/737	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		肖特基		TO-257	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	16a	1.13 V @ 16 A		500 µA @ 150 V	-65°C〜150°C
Jan1n749a-1	2.0550	RFQ	3311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	18欧姆
1月1N755A-1	2.0550	RFQ	4347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V						7.5 v	4欧姆
1月1N967DUR-1	14.2500	RFQ	3281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 14 V						18 V	21欧姆
1月1N991B-1	-	RFQ	5821	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V						180 v	2200欧姆
JANS1N3595AUS	61.1400	RFQ	7777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241R	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4111CUR-1	97.9650	RFQ	3446	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V						17 V	100欧姆
JANS1N4114UR-1	48.9900	RFQ	1214	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V						20 v	150欧姆
JANS1N4117-1	33.7800	RFQ	2749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		40 µA @ 15 V						25 v	150欧姆
JANS1N4118-1	33.7800	RFQ	8833	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V						27 V	150欧姆
JANS1N4463	83.8650	RFQ	9663	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V						8.2 v	2.5欧姆
JANS1N4465	83.8650	RFQ	5617	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V						10 v	5欧姆
JANS1N4479US	91.8900	RFQ	1572年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V						39 v	30欧姆
JANS1N4616CUR-1	183.3900	RFQ	1882年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						2.2 v	1300欧姆
JANS1N4623UR-1	69.6150	RFQ	7501	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V						4.3 v	1600欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²