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二极管（（34409）

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1N5527B	1.8150	RFQ	2472	微芯片技术	MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5527	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.8 V	7.5 v	35欧姆
1N5530B	3.4350	RFQ	9100	微芯片技术	MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5530	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.1 V	10 v	60欧姆
1N5540BUR-1	6.4800	RFQ	1187	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5540	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18 V	20 v	100欧姆
1N6012UR	3.5850	RFQ	4319	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6012			-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
1N6312US	14.6400	RFQ	1991	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6312	500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.4 V @ 1 A	5 µA @ 1 V	3.3 v	27欧姆
1n6322us	14.6400	RFQ	4558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6322	500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.4 V @ 1 A	1 µA @ 6 V	8.2 v	5欧姆
1N6323	8.4150	RFQ	9845	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向	1N6323	500兆	B，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.4 V @ 1 A	1 µA @ 7 V	9.1 v	6欧姆
1N6348	8.4150	RFQ	3733	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6348	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.4 V @ 1 A	50 NA @ 76 V	100 v	340欧姆
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1n747aur-1	3.0300	RFQ	5110	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N747	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V	3.6 v	22欧姆
1N748	2.1600	RFQ	3738	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N748	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V	3.9 v	23欧姆
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1N4576A-1	3.4950	RFQ	5566	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4576	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	50欧姆
1N4687	6.1650	RFQ	1926年	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4687	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	4 µA @ 2 V	4.3 v
1N4690	5.8350	RFQ	8896	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4690	500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 4 V	5.6 v
1N4713	3.9300	RFQ	5885	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4713	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 22.8 V	30 V
1N5938A	3.4050	RFQ	2408	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5938	1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 27.4 V	36 V	38欧姆
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1N5985ur	3.5850	RFQ	6672	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5985			-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²