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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1月1N979DUR-1	14.2500	RFQ	9845	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N979		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 43 V				56 v	150欧姆
S21100	33.4500	RFQ	7273	微芯片技术	S21	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S21100	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	22a	-
1N4745P/TR12	1.8600	RFQ	5301	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
JANTXV1N758A-1	5.1150	RFQ	4853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N758		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V				10 v	7欧姆
JANTXV1N4495CUS/TR	45.2850	RFQ	5164	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4495CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
1 PMT4117E3/TR7	-	RFQ	4478	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
JANTXV1N4627C-1	20.5650	RFQ	1918年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4627		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
MSASC25W100K	-	RFQ	2464	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	-	MSASC25	肖特基		2- thinkey™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		910 MV @ 25 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	25a	-
UFT3150D	63.7050	RFQ	4373	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3150D	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	500 v	30a	1.1 V @ 15 A	50 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C
JANS1N4103C-1	67.5450	RFQ	8445	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
1N2839A	94.8900	RFQ	2796	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2839		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 79.8 V				105 v	25欧姆
1N5340E3/TR8	2.6250	RFQ	1778年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
JANS1N6488CUS/TR	-	RFQ	4758	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6488CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
CDLL5913B/TR	3.6575	RFQ	5974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.25 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5913B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
CDLL5256B/TR	2.7132	RFQ	1173	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5256B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 23 V				30 V	49欧姆
JANTX1N4123CUR-1/TR	21.7056	RFQ	9140	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4123CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
SMAJ5938E3/TR13	0.6450	RFQ	7377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5938		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
JANTXV1N3890	366.6000	RFQ	1536年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.5 V @ 20 A	200 ns		-65°C〜175°C	12a	115pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N4466CUS/TR	40.1527	RFQ	8124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4466CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTX1N978C-1	-	RFQ	5596	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
JANS1N6338	140.1300	RFQ	7423	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 30 V				39 v	55欧姆
1N5247B	3.9150	RFQ	1234	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5247		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5247BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 13 V				17 V	19欧姆
1N4588D	102.2400	RFQ	7845	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N4588D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
CDLL6325	14.6400	RFQ	4788	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL6325		500兆	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.5 V				11 V	7欧姆
CDLL4776	36.4800	RFQ	1585年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4776		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				8.5 v	200欧姆
S2580	33.4500	RFQ	2358	微芯片技术	S25	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S258	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	25a	-
HSM880G/TR13	2.7150	RFQ	3158	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	HSM880	肖特基		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		80 V		780 mv @ 8 a		500 µA @ 80 V	-55°C 〜175°C	8a	-
Jan1n5538bur-1	14.4600	RFQ	2345	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5538		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100欧姆
1N980B	2.0700	RFQ	1055	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N980		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V				62 v	185欧姆
1N4729AUR	3.4650	RFQ	6650	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4729		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²