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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JAN1N4470DUS/TR Microchip Technology Jan1n4470dus/tr 33.6000
RFQ
ECAD 8156 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 150-JAN1N4470DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 na @ 12.8 V 16 V 10欧姆
JAN1N4469CUS/TR Microchip Technology Jan1n4469cus/tr 24.1200
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 下载 150-JAN1N444469CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 na @ 12 V 15 v 9欧姆
JANS1N6314CUS/TR Microchip Technology JANS1N6314CUS/TR 285.2250
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 150-JANS1N6314CUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 A 2 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
JANTXV1N988CUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N988CUR-1/TR -
RFQ
ECAD 6948 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/117 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 400兆 do-213aa - 150-JANTXV1N988CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 ma 500 NA @ 99 V 130 v 1100欧姆
JANTX1N4479CUS/TR Microchip Technology JANTX1N4479CUS/TR 28.3050
RFQ
ECAD 9074 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 150-JANTX1N4479CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 31.2 V 39 v 30欧姆
JANTXV1N4981DUS/TR Microchip Technology JANTXV1N4981DUS/TR 51.2700
RFQ
ECAD 6770 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 150-JANTXV1N4981DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 69.2 V 91 v 90欧姆
JANS1N4480DUS/TR Microchip Technology JANS1N4480DUS/TR 330.4050
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 150-JANS1N444480DUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 34.4 V 43 V 40欧姆
1N4707UR-1/TR Microchip Technology 1N4707ur-1/tr 5.2400
RFQ
ECAD 1286 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 ma 10 na @ 15.2 V 20 v
1N4688UR-1/TR Microchip Technology 1N4688ur-1/tr 5.2400
RFQ
ECAD 4032 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 ma 10 µA @ 3 V 4.7 v
1N4732UR-1/TR Microchip Technology 1N4732UR-1/TR 3.6200
RFQ
ECAD 3346 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) - Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N4979US/TR Microchip Technology 1N4979US/TR 9.5200
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - Ear99 8541.10.0050 101 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 56 V 75 v 55欧姆
1N3032BUR-1/TR Microchip Technology 1N3032BUR-1/TR 15.4500
RFQ
ECAD 4206 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) - Ear99 8541.10.0050 100 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
1N5524UR-1/TR Microchip Technology 1N5524ur-1/tr 5.6100
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 173 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 3 V 5.6 v
1N6486US/TR Microchip Technology 1N6486US/TR 14.0400
RFQ
ECAD 2791 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
1N5259BUR-1/TR Microchip Technology 1N5259BUR-1/TR 3.0200
RFQ
ECAD 9829 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 329 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 30 V 39 v 80欧姆
1N5712UB/TR Microchip Technology 1N5712UB/TR 23.5500
RFQ
ECAD 3046 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 4-SMD,没有铅 肖特基 UB - 100 小信号= <200ma(io(io),任何速度 16 V 1 V @ 35 MA 150 na @ 16 V -65°C〜150°C 75mA 2pf @ 0v,1MHz
1N4755UR-1/TR Microchip Technology 1N4755UR-1/tr 3.6200
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) - Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 32.7 V 43 V 70欧姆
1N459AUR/TR Microchip Technology 1N459AR/TR 5.8600
RFQ
ECAD 9135 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 166
1N4711UR-1/TR Microchip Technology 1N4711ur-1/tr 5.2400
RFQ
ECAD 3153 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 ma 10 na @ 20.4 V 27 V
1N486BUR/TR Microchip Technology 1N486BUR/TR 5.0800
RFQ
ECAD 9178 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 192
1N5233DUR-1/TR Microchip Technology 1N5233DUR-1/TR 7.3200
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 132 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7欧姆
1N5533UR-1/TR Microchip Technology 1N5533UR-1/TR 6.6300
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 146 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 10.5 V 13 V
1N4981US/TR Microchip Technology 1N4981US/TR 9.5200
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - Ear99 8541.10.0050 101 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 69.2 V 91 v 90欧姆
1N4150UBCA/TR Microchip Technology 1N4150UBCA/TR 25.5400
RFQ
ECAD 9674 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 100
1N5519CUR-1/TR Microchip Technology 1N5519CUR-1/TR 13.1100
RFQ
ECAD 8471 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 3.6 v 24欧姆
1N755AUR-1/TR Microchip Technology 1N7555AR-1/TR 3.1800
RFQ
ECAD 8077 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 400兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
1N3823AUR-1/TR Microchip Technology 1N3823AUR-1/TR 8.9400
RFQ
ECAD 9799 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.5 w DO-213AB(梅尔,LL41) - Ear99 8541.10.0050 108 1.2 V @ 200 ma 50 µA @ 1 V 3.9 v 9欧姆
1N5254BUR-1/TR Microchip Technology 1N5254BUR-1/TR 3.0900
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 323 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 27 V 41欧姆
1N4118UR/TR Microchip Technology 1N4118ur/tr 3.9400
RFQ
ECAD 5554 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 20.45 V 27 V 150欧姆
1N5928BUR-1/TR Microchip Technology 1N5928BUR-1/TR 3.1800
RFQ
ECAD 2617 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.25 w DO-213AB(梅尔,LL41) - Ear99 8541.10.0050 313 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.9 V 13 V 7欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库