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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MSASC150H60LX/TR	-	RFQ	6494	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC150H60LX/TR			100
CD6328	2.1014	RFQ	1278	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6328	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N444466DUS/TR	49.7400	RFQ	9196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTX1N444466DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		300 NA @ 8.8 V						11 V	6欧姆
JANTX1N4103DUR-1	25.4550	RFQ	9348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4103		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V						9.1 v	200欧姆
R2040	33.4500	RFQ	4170	微芯片技术	R20	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R2040	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	16a	-
CD3A40	9.1500	RFQ	8592	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD3A40	Ear99	8541.10.0040	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	550 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
JANTX1N6314DUS	55.6050	RFQ	5708	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6314		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
JANTXV1N6636DUS/TR	-	RFQ	9596	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N6636DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V						4.7 v	2欧姆
1N5920BP/TR8	1.8900	RFQ	7021	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5920		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V						6.2 v	2欧姆
CDLL5244A	2.8650	RFQ	3302	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5244		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 10 V						14 V	15欧姆
JANTXV1N4372AUR-1/TR	9.2302	RFQ	2191	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4372AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V						3 V	29欧姆
Jan1n746c-1	5.1900	RFQ	1708年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N746		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	17欧姆
JANTX1N4620C-1/TR	11.3316	RFQ	1433	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4620C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					3.5 µA @ 1.5 V						3.3 v	1650年
UZ8830	20.5751	RFQ	5436	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			1 w	a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-UZ8830	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 22.8 V						30 V	40欧姆
1N6638	6.5400	RFQ	7490	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	D，轴向	1N6638	标准		D-5D	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	125 v	1.1 V @ 200 ma	4.5 ns	500 NA @ 125 V	-65°C 〜200°C	300mA	2pf @ 0v，1MHz
1N4480C	17.7000	RFQ	9047	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4480C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V						43 V	40欧姆
1N486B	4.8300	RFQ	1088	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N486	标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N486BMS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	250 v	1 V @ 100 ma		1 µA @ 250 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1N6031B-1	2.7750	RFQ	2078	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N6031B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V						200 v	2000年
1N4716	3.9300	RFQ	7616	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4716		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 29.6 V						39 v
JANS1N4117UR-1	48.9900	RFQ	4529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V						25 v	150欧姆
JAN1N3029CUR-1/TR	29.0339	RFQ	7547	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3029CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V						24 V	25欧姆
1N3274R	158.8200	RFQ	7760	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3274	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3274RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1200 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTX1N3595-1/TR	3.2984	RFQ	2034	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3595-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	920 MV @ 100 mA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
SMBJ5936AE3/TR13	0.8850	RFQ	3216	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5936		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V						30 V	28欧姆
1N4618	2.6250	RFQ	4685	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4618	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						2.7 v	1500欧姆
1N4584A	21.5100	RFQ	9639	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4584A	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
JANTXV1N6621US	18.1050	RFQ	1180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6621	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	440 v	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.2a	-
1月1N976BUR-1/TR	4.0831	RFQ	7614	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N976BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V						43 V	93欧姆
1N3891R	50.8800	RFQ	6958	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3891	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3891RMS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 38 A	200 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	12a	-
803-2	-	RFQ	4404	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4平方，MB		标准		MB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					20 µA @ 100 V				单相	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²