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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
UFS310JE3/TR13	1.3050	RFQ	7680	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS310	标准		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	950 mv @ 3 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	3a	-
1N958B-1E3/tr	2.4073	RFQ	6830	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N958B-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		75 µA @ 5.7 V				7.5 v	5.5欧姆
jankca1n4617d	-	RFQ	7425	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4617D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
1N4577A-1E3/tr	8.4300	RFQ	5697	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4577A-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 50 V				6.4 v
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JANTXV1N3041CUR-1	46.1250	RFQ	4269	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3041		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 56 V				75 v	175欧姆
1N3882	47.0100	RFQ	1603	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3882	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3882MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.4 V @ 20 A	200 ns	15 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	6a	115pf @ 10V，1MHz
JANTX1N5538D-1	21.9150	RFQ	9679	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5538		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100欧姆
JANS1N4963D	374.1920	RFQ	1124	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4963D	Ear99	8541.10.0050	1
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JANTXV1N5523B-1/TR	6.2111	RFQ	8925	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5523B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 v	26欧姆
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JANTXV1N983D-1/TR	8.5519	RFQ	9536	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N983D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
1月1N6638U	6.5700	RFQ	5770	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6638	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.1 V @ 200 ma	20 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜175°C	300mA	2.5pf @ 0v，1MHz
1N4908/tr	25.9650	RFQ	5496	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4908/tr	Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	50欧姆
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JANTXV1N3344RB	-	RFQ	2994	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 v	50欧姆
1N3313RA	49.3800	RFQ	4630	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3313		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				14 V	1.2欧姆
1N1345	45.3600	RFQ	7997	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1345	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	16a	-
1 PMT5928BE3/TR7	0.7350	RFQ	5894	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
1N6013B	2.0700	RFQ	9567	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6013		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N6013BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V				36 V	95欧姆
1N5617E3/tr	5.0100	RFQ	7444	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5617E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	800 mv @ 3 a	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	35pf @ 12V，1MHz
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JANTX1N3042D-1/TR	28.4620	RFQ	4384	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3042D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
Jan1n5526c-1/tr	12.6749	RFQ	5522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N555526C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
1月1N3957	6.2400	RFQ	5137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/228	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N3957	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 1 A		100 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTXV1N6319CUS	54.8400	RFQ	6806	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
SMBJ5388A/TR13	1.6350	RFQ	3678	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5388		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 144 V				200 v	480欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²