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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N4135C-1	13.5750	RFQ	2106	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4135		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1600欧姆
JANS1N4616DUR-1	155.7750	RFQ	7381	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
1N1348BR	38.3850	RFQ	5052	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N1348BR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTXV1N4487US	17.6250	RFQ	7809	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4487		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 65.6 V				82 v	160欧姆
JANTXV1N3000RB	-	RFQ	5038	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 47.1 V				62 v	17欧姆
1N3518A/tr	2.3807	RFQ	1912年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3518A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						1 V	7欧姆
1 PMT4118/TR13	0.9600	RFQ	5809	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.45 V				27 V	150欧姆
JANTX1N4112D-1	16.9800	RFQ	1669年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4112		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
JAN1N5542CUR-1	28.9200	RFQ	5709	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5542		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆
JANTX1N2805RB	-	RFQ	9795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2805		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
JANTXV1N4577A-1/TR	10.6050	RFQ	4048	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4577A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N5913B	3.0300	RFQ	4739	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5913		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5913BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
UZ807	22.4400	RFQ	3942	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ807	Ear99	8541.10.0050	1
1月1N4459	45.7050	RFQ	3564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N4459	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	15a	-
R20410	33.4500	RFQ	4006	微芯片技术	R204	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R204	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JANTXV1N972BUR-1/TR	6.8495	RFQ	5008	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N972BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
1月1N3913	-	RFQ	7950	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
MSASC25W30K/tr	-	RFQ	2619	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC25W30KS/TR			100
1N3049B-1/TR	7.4214	RFQ	2311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13	1N3049		1 w	DO-13（do-202AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3049B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
1N963BE3	2.3009	RFQ	6745	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N963BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
Jan1n751Cur-1	11.3850	RFQ	2855	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N751		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
UFS515JE3/TR13	1.8900	RFQ	6347	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS515	标准		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	950 mv @ 5 a	30 ns	10 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	5a	-
UZ816	22.6500	RFQ	100	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-UZ816	Ear99	8541.10.0050	1
CD5526B	2.0482	RFQ	5128	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5526B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANTXV1N6315C	36.0300	RFQ	5840	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
1N6031B	2.7750	RFQ	7588	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V				200 v	2000年
S306040F	49.0050	RFQ	9147	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S306040F			1
JAN1N4105DUR-1/TR	16.3058	RFQ	3082	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4105DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
1N6540	16.5300	RFQ	1723年	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6540				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
JANTX1N5711UBCC	104.4300	RFQ	4532	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²