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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
S30660	39.0750	RFQ	1544年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S30660	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.1 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	85a	-
JAN1N3022DUR-1	40.7250	RFQ	9319	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3022		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
1N5362A/TR8	2.6250	RFQ	9999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5362		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.1 V				28 V	6欧姆
JANTX1N4116CUR-1	24.3150	RFQ	4489	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4116		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
1N4050	158.8200	RFQ	6652	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N4050	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜190°C	275a	-
CD755	1.6950	RFQ	2184	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD755	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
1N5919AE3/TR13	-	RFQ	8115	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5919		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
SMAJ5944CE3/TR13	0.6450	RFQ	2108	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5944		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
JANTX1N5526D-1	21.9150	RFQ	9674	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5526		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
CDLL4756B	3.6450	RFQ	5869	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL4756B	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 35.8 V				47 V	80欧姆
CDLL5540/tr	5.9052	RFQ	8638	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5540/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17 V				20 v	100欧姆
JANS1N4986CUS/TR	462.1650	RFQ	4708	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4986CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 114 V				150 v	330欧姆
UES1305SM	49.7550	RFQ	4200	微芯片技术	*	大部分	积极的					UES1305				-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响			0000.00.0000	1
1N7048ur-1/tr	9.4500	RFQ	6098	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-					Ear99	8541.10.0050	102
1N3270R	158.8200	RFQ	7674	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3270	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3270RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	700 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 700 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N6012BUR-1	3.5850	RFQ	8718	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N6012BUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	88欧姆
CD1A100	6.2250	RFQ	1046	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD1A100	Ear99	8541.10.0040	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	750 MV @ 1 A		100 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	1a	-
1N5279A	3.1200	RFQ	4471	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5279		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				180 v	2200欧姆
JANS1N4114C-1/TR	63.1902	RFQ	6038	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4114C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
JANTX1N3034BUR -1	14.5800	RFQ	2878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3034		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANTXV1N2824B	-	RFQ	2183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2824		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 25.1 V				33 V	3.2欧姆
Jan1n4996cus	-	RFQ	1310	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
JANTXV1N6642UBD	34.5000	RFQ	2909	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6642	标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N4746AG/TR	3.8400	RFQ	5296	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4746AG/TR	Ear99	8541.10.0050	246			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N4257/tr	11.4300	RFQ	7215	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	S，轴向		标准		S，轴向	下载			到达不受影响	150-1N4257/tr	Ear99	8541.10.0070	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	3000 v	3.5 V @ 100 ma		1 µA @ 3000 V	-65°C〜175°C	250mA	-
Jan1n6312us	15.4350	RFQ	3990	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6312		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				3.3 v	27欧姆
1N5353/TR12	2.6250	RFQ	2303	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V				16 V	2.5欧姆
JANS1N6350/TR	130.9402	RFQ	7149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6350/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 91 V				120 v	600欧姆
JANTX1N974C-1/TR	6.5436	RFQ	6485	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N974C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 27 V				36 V	70欧姆
1N3900R	48.5400	RFQ	6963	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3900	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²