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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4728AUR	3.4650	RFQ	7228	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4728		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTXV1N4477CUS/TR	45.2850	RFQ	6318	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4477CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 26.4 V				33 V	25欧姆
JANS1N4130D-1/TR	94.7000	RFQ	4268	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4130D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
CDLL4932	73.9650	RFQ	1914年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4932		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 v	36欧姆
JANTXV1N4108-1	9.0450	RFQ	9548	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4108		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
1 PMT4123C/TR13	-	RFQ	2992	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4123		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
JANS1N4576A-1	142.3350	RFQ	3039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
CD4955D	19.5600	RFQ	400	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-CD4955D			1
1N4978	6.6150	RFQ	8659	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4978		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V				68 v	50欧姆
1N5359/TR8	2.6250	RFQ	3407	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5359		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 17.3 V				24 V	3.5欧姆
1月1N966C-1	5.0700	RFQ	1866年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N966		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V				16 V	17欧姆
1月1N6673	-	RFQ	1633年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/617	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.55 V @ 20 A	35 ns	50 µA @ 320 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6344CUS	57.1050	RFQ	1439	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6344CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
1N4102	2.6400	RFQ	358	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		1 µA @ 6.61 V				8.7 v	200欧姆
Jan1n3019c-1/tr	17.4895	RFQ	4218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3019C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				9.1 v	6欧姆
JANTXV1N4476CUS	45.1350	RFQ	9957	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4476CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V				30 V	20欧姆
JANTXV1N6317US/TR	23.1686	RFQ	2803	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6317US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	1300欧姆
JANTX1N5811	7.4800	RFQ	2786	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5811	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
UES1106SM/TR	37.1850	RFQ	9896	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-ues1106SM/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 1 A	50 ns		-	2a	-
CDLL4746D	9.1500	RFQ	9570	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL4746D	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N4925A	20.5650	RFQ	7920	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4925		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									19.2 v	75欧姆
JANS1N4484US/TR	162.1650	RFQ	1561年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4484US/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 49.6 V				62 v	80欧姆
JANTX1N7050-1	8.8950	RFQ	4361	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5242BUR-1/TR	3.0200	RFQ	2407	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	329			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	30欧姆
1N4767/tr	98.5350	RFQ	9437	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4767/tr	Ear99	8541.10.0050	1									9.1 v	350欧姆
1N6764	199.5300	RFQ	1203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/642	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N6764	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	12a	300pf @ 5V，1MHz
1N4619D	6.5700	RFQ	7677	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4619D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		800 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
JANTX1N3021D-1	27.4500	RFQ	2421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3021		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
1N4131	-	RFQ	8016	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			400兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q8115035	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
JAN1N30303030B-1/TR	6.9160	RFQ	1363	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N30303030B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²