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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
JANTX1N3043B-1/TR	9.0573	RFQ	9650	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3043B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V						91 v	250欧姆
CDLL978	2.8650	RFQ	5287	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL978		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V						51 v	125欧姆
jankca1n4132	-	RFQ	6658	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Jankca1n4132	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.32 V						82 v	800欧姆
JAN1N5540C-1	11.0400	RFQ	8139	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5540		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V						20 v	100欧姆
JANTXV1N4991	19.9650	RFQ	1862年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4991		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V						240 v	650欧姆
1N5811AUS/TR	11.1000	RFQ	4309	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-			到达不受影响	150-1N5811AUS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			150 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JANTX1N3030BUR-1	14.5800	RFQ	2244	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3030		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 20.6 V						27 V	35欧姆
UES804	65.9400	RFQ	1234	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			200 v		1.25 V @ 50 A	50 ns		-55°C〜150°C	50a	-
1N3309A	49.3800	RFQ	1914年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3309		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.7 V						10 v	0.6欧姆
JANTX1N980B-1	3.0300	RFQ	5210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V						62 v	185欧姆
SMBJ5942B/TR13	1.5600	RFQ	6902	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5942		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V						51 v	70欧姆
JANTXV1N4125CUR-1	28.8000	RFQ	7311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4125		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V						47 V	250欧姆
JANS1N6486C	-	RFQ	2170	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						3.6 v	10欧姆
JANTX1N990B-1	-	RFQ	9517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V						160 v	1700欧姆
Jan1n4130-1	4.1100	RFQ	8293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4130			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V						68 v	700欧姆
JANTX1N5620U	9.1650	RFQ	4239	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5620	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			800 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N5362E3/TR8	2.6250	RFQ	4540	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5362		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000						1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.1 V						28 V	6欧姆
1N4754APE3/TR8	0.9450	RFQ	2927	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4754		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V						39 v	60欧姆
1N2834A	94.8900	RFQ	5368	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2834		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 10 A		10 µA @ 51.7 V						68 v	8欧姆
APT2X31D20J	27.7100	RFQ	3920	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X31	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		2独立	200 v	30a	1.3 V @ 30 A	24 ns	250 µA @ 200 V
1N1199R	75.5700	RFQ	3476	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1199	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			50 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	12a	-
5819SMJ/TR13	1.1700	RFQ	3953	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	5819	肖特基		do-214aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V		550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
JANTXV1N4981	-	RFQ	7516	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V						91 v	90欧姆
JANTX1N4103-1	5.2800	RFQ	2044	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4103		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V						9.1 v	200欧姆
1N5929A/tr	5.1737	RFQ	7716	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.25 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5929A/tr	Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V						15 v	9欧姆
JANTXV1N6309DUS	68.5350	RFQ	1135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6309		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V						2.4 v	30欧姆
1 PMT4117E3/TR7	-	RFQ	4478	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V						25 v	150欧姆
1N5523B	1.9050	RFQ	3472	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V						5.1 v	26欧姆
UPP1002/TR13	8.8650	RFQ	8380	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		do-216aa	UPP1002			do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000		2.5 w									1.6pf @ 100V，1MHz	PIN-单	100V			1 OHM @ 10mA，100MHz
1N5368AE3/TR12	2.6250	RFQ	4445	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 1 A		500 NA @ 33.8 V						47 V	25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²