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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL6347/tr	13.1404	RFQ	3102	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6347/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
1N5952A	3.4050	RFQ	7374	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5952		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
SMBJ5921A/TR13	1.5600	RFQ	1116	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5921		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	2.5欧姆
JANTXV1N5534C-1	23.3700	RFQ	7653	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5534		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V				14 V	100欧姆
1 PMT5948CE3/TR7	0.7350	RFQ	5427	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V				91 v	200欧姆
1N4754PE3/TR8	0.9150	RFQ	5840	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4754		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1 PMT5948AE3/TR7	0.7350	RFQ	3011	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V				91 v	200欧姆
1N6776	302.0100	RFQ	6247	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
jankca1n4128c	-	RFQ	1620	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4128C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
JANTX1N971C-1/TR	5.8121	RFQ	9291	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N971C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V				27 V	41欧姆
JANS1N5968US/TR	-	RFQ	8254	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向				E，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5968US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 4.28 V
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SMBJ5372BE3/TR13	0.8250	RFQ	6076	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5372		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
JANS1N4111-1/TR	31.6700	RFQ	2935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4111-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
JANTX1N992DUR-1/TR	-	RFQ	3593	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N992DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V				200 v	2.5欧姆
1N4901A	51.6450	RFQ	5057	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4901		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	200欧姆
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1N3891R	50.8800	RFQ	6958	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3891	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3891RMS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.5 V @ 38 A	200 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	12a	-
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JANS1N6341US	164.8650	RFQ	2956	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
JANTXV1N758CUR-1/TR	18.4471	RFQ	8396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N758CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V				10 v	17欧姆
1N5343AE3/TR8	2.6250	RFQ	4394	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5343		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.4 V				7.5 v	1.5欧姆
1N5420	7.9800	RFQ	356	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5420	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N5420	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 9 A	400 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
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1N3350A	49.3800	RFQ	9700	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3350		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 152 V				200 v	100欧姆
JANTXV1N4615UR-1	14.1300	RFQ	4027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4615		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
JANS1N4571AUR-1/TR	163.8300	RFQ	4113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4571AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTXV1N3000B	-	RFQ	3470	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 47.1 V				62 v	17欧姆
SMBG5345CE3/TR13	1.4400	RFQ	3348	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5345		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 6.25 V				8.7 v	2欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²