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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5244A	2.0700	RFQ	7442	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 9.5 V				14 V	15欧姆
1N5247A	2.0700	RFQ	2300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 12.4 V				17 V	19欧姆
1N5250A	2.7750	RFQ	1612	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 14.3 V				20 v	25欧姆
1N5277A	3.1200	RFQ	6798	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V				160 v	1700欧姆
1N5420E3	8.1000	RFQ	4703	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	标准		B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 9 A	400 ns		-65°C〜175°C	3a	-
1N5524BUR-1	6.4800	RFQ	5378	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
1N5526B	1.8150	RFQ	5143	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
1N5527DUR-1	16.2000	RFQ	6068	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆
1N5619E3	5.4600	RFQ	8062	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 3 A		500 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	25pf @ 12V，1MHz
1N5623E3	7.3350	RFQ	7833	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
1N5711UBD	32.2050	RFQ	8417	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅	肖特基		UB	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
1N5823	55.6050	RFQ	9800	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向	肖特基		轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	470 mv @ 15.7 A			-65°C〜125°C	5a
1N5935C	6.0300	RFQ	1532年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.25 w	do-41	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23欧姆
1N5968US	68.1450	RFQ	5125	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
1N5996B-1	2.0700	RFQ	5707	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	8欧姆
1N6313US	14.6400	RFQ	7006	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V				3.6 v	25欧姆
1N6316	8.4150	RFQ	5093	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		500兆	B，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
1N6318	8.4150	RFQ	9898	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向		500兆	B，轴向	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
1N6319US	14.7800	RFQ	100	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	3欧姆
1n6321us	14.7750	RFQ	2913	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
1N643	1.1850	RFQ	5710	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	标准		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	175 v	1 V @ 10 mA	300 ns		-65°C〜175°C	25a	-
1N648	3.0300	RFQ	9555	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	标准		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		0000.00.0000	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1 V @ 400 MA			-	-	-
1N6490	11.1000	RFQ	4636	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N6642UB	17.5200	RFQ	5746	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅	标准		UB	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1.2 V @ 100 ma	5 ns		-	-	5pf @ 0v，1MHz
1N6761UR-1	99.2400	RFQ	6	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1N6842U3	181.8750	RFQ	8749	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	肖特基		U3	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	900 mv @ 15 A		50 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	10a	400pf @ 5V，1MHz
1N6844U3	137.2500	RFQ	5591	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/679	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	肖特基		U3	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1 V @ 20 A			-65°C〜150°C	15a	600pf @ 5V，1MHz
1N751	2.1600	RFQ	5926	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		400兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				5.1 v	19欧姆
1N757	2.3400	RFQ	6785	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		400兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				9.1 v	10欧姆
1N936BE3	6.7050	RFQ	8107	微芯片技术	-	大部分	积极的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²