SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JAN1N4115CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4115CUR-1/TR 13.0606
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N4115CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 16.8 V 22 v 150欧姆
CDS3023B-1/TR Microchip Technology CD023B-1/TR -
RFQ
ECAD 9961 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDS3023B-1/TR Ear99 8541.10.0050 50
1N5362E3/TR8 Microchip Technology 1N5362E3/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5362 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 20.1 V 28 V 6欧姆
CDLL4923A/TR Microchip Technology CDLL4923A/TR 48.9000
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜100°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL4923A/TR Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 12 V 19.2 v 150欧姆
JAN1N6663 Microchip Technology 1月1N6663 -
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 DO-35(do-204AH) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 400 MA 50 NA @ 600 V -65°C〜175°C 500mA -
JANS1N5811US Microchip Technology JANS1N5811U 24.3300
RFQ
ECAD 5969 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 标准 B,平方米 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 875 mv @ 4 A 30 ns -65°C〜175°C 3a -
UFR3140R Microchip Technology UFR3140R 69.3150
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 UFR3140 标准,反极性 DO-203AA(DO-4) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 30 A 50 ns 15 µA @ 400 V -65°C〜175°C 30a 115pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N6662US/TR Microchip Technology JANTXV1N6662US/TR -
RFQ
ECAD 2035 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/587 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 标准 D-5A - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N6662US/TR Ear99 8541.10.0070 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 400 MA 50 NA @ 400 V -65°C〜175°C 500mA -
JANTXV1N6911UTK2CS Microchip Technology JANTXV1N6911UTK2CS -
RFQ
ECAD 6495 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/723 大部分 积极的 表面安装 Thinkey™2 SIC (碳化硅) Thinkey™2 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 30 V 540 mv @ 25 A 1.2 ma @ 30 V -65°C〜150°C 25a
JAN1N4114UR-1 Microchip Technology Jan1n4114ur-1 5.7000
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4114 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 15.2 V 20 v 150欧姆
1N4756CPE3/TR12 Microchip Technology 1N4756CPE3/TR12 1.1550
RFQ
ECAD 8604 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4756 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N4764UR-1 Microchip Technology 1N4764ur-1 3.4650
RFQ
ECAD 5961 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) - 到达不受影响 150-1N4764UR-1 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
JANKCA1N4565A Microchip Technology jankca1n4565a -
RFQ
ECAD 4802 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜100°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANKCA1N4565A Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 200欧姆
CD5362B Microchip Technology CD5362B 5.0274
RFQ
ECAD 2904 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 5 w 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5362B Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 500 NA @ 21.2 V 28 V 6欧姆
JANTX1N6912UTK2 Microchip Technology JANTX1N6912UTK2 -
RFQ
ECAD 3130 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/723 大部分 积极的 表面安装 Thinkey™2 SIC (碳化硅) Thinkey™2 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 45 v 640 mv @ 25 a 1.2 ma @ 45 V -65°C〜150°C 25a 1000pf @ 5V,1MHz
1N3296A Microchip Technology 1N3296A 93.8550
RFQ
ECAD 2033 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 1N3296 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1n3296am Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 200 A 200 µA @ 1200 V -65°C 〜200°C 150a -
JAN1N5416 Microchip Technology Jan1n5416 6.6300
RFQ
ECAD 4320 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5416 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5537BUR-1 Microchip Technology JANTX1N5537BUR-1 14.7600
RFQ
ECAD 2946 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5537 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 15.3 V 17 V 100欧姆
1N5925E3/TR13 Microchip Technology 1N5925E3/TR13 -
RFQ
ECAD 1063 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5925 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8 V 10 v 4.5欧姆
MNS1N6317US Microchip Technology MNS1N6317US 18.2250
RFQ
ECAD 3851 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 到达不受影响 150-MNS1N6317US Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 2 V 5.1 v 14欧姆
JANTX1N6347C Microchip Technology JANTX1N6347C 29.2350
RFQ
ECAD 8379 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANTX1N6347C Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 69 V 91 v 270欧姆
JANHCA1N4126D Microchip Technology Janhca1n4126d -
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-Janhca1n4126d Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 38.76 V 51 v 300欧姆
1N5266BUR-1 Microchip Technology 1N5266BUR-1 3.5850
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N5266 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 52 V 68 v 230欧姆
CDLL4737A Microchip Technology CDLL4737A 3.4650
RFQ
ECAD 8998 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL4737 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
1N2842RB Microchip Technology 1N2842RB 96.0150
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2842 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 98.8 V 130 v 50欧姆
1N4736E3/TR13 Microchip Technology 1N4736E3/TR13 0.8100
RFQ
ECAD 9630 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4736 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
JAN1N4463DUS Microchip Technology Jan1n4463dus 33.4500
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4463 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 500 NA @ 4.92 V 8.2 v 3欧姆
UFS170JE3/TR13 Microchip Technology UFS170JE3/TR13 0.9000
RFQ
ECAD 7377 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214BA UFS170 标准 DO-214BA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 700 v 1.2 V @ 1 A 60 ns 20 µA @ 700 V -55°C 〜175°C 1a -
1N6009A Microchip Technology 1N6009A 1.9950
RFQ
ECAD 7591 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6009 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 24 V 78欧姆
JANHCA1N5532B Microchip Technology Janhca1n5532b 6.8096
RFQ
ECAD 1079 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-Janhca1n5532b Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 10.8 V 12 v 90欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库