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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N4974	7.6500	RFQ	9825	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4974		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V				47 V	25欧姆
1N5754B	1.8600	RFQ	1481	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5754		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		100 na @ 39 V				56 v	200欧姆
JANTXV1N5189	14.5950	RFQ	7933	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5189				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
BZV55C4V7	2.9400	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C4V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v
JAN1N4487CUS	27.6750	RFQ	8573	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4487		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 65.6 V				82 v	160欧姆
1N5914D	7.5450	RFQ	6900	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5914		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 v	9欧姆
1N5543BUR-1	6.4800	RFQ	8049	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JANS1N4487US/TR	162.1650	RFQ	6479	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4487US/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		250 na @ 65.6 V				82 v	160欧姆
1N4766A	88.5300	RFQ	9290	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4766		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7679041	Ear99	8541.10.0050	1									9.1 v	350欧姆
JANTXV1N3037C-1/TR	33.8618	RFQ	9293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3037C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
1N6012D	5.1900	RFQ	3546	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6012		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	88欧姆
1月1N5622	6.0000	RFQ	6715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5622	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N4109CUR-1	98.9100	RFQ	5647	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
1N5940E3/TR13	-	RFQ	2749	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5940		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
1N5808/tr	11.1000	RFQ	2414	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5808/tr	Ear99	8541.10.0080	1
JANTX1N3032C-1	25.5600	RFQ	7869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3032		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
CDLL5540B	6.4800	RFQ	5687	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5540		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
JANTXV1N3033DUR-1/TR	50.5932	RFQ	2338	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3033DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
JANTXV1N4584A-1	34.1700	RFQ	6771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4584		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTX1N5536C-1	19.5300	RFQ	1454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5536		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
1N1366A	44.3850	RFQ	2523	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N136		10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1366A	Ear99	8541.10.0050	1									43 V	6欧姆
1N6077/tr	21.4350	RFQ	8007	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6077/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
1N4695	3.9300	RFQ	7740	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.6 V				8.7 v
JANTX1N6642UBCA/TR	26.0813	RFQ	4916	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6642UBCA/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
CDLL3044A	15.3000	RFQ	5591	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3044		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	350欧姆
JANS1N4490US	162.0150	RFQ	6216	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 88 V				110 v	300欧姆
jankca1n5524d	-	RFQ	1816年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5524D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
JANTX1N4106CUR-1	24.7200	RFQ	9969	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4106		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
JANTXV1N4571A-1/TR	7.8000	RFQ	3179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4571A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
Jan1n3024bur-1	12.7350	RFQ	3761	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3024		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²