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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5358BE3/TR8	2.6850	RFQ	1995	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5358		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V				22 v	3.5欧姆
1N5918P/TR8	1.8600	RFQ	1896年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5918		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
1 PMT5933/TR13	2.2200	RFQ	4542	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 v	17.5欧姆
JANTX1N750DUR-1	15.2100	RFQ	6804	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N750		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
R43120T	59.8350	RFQ	5952	微芯片技术	-	托盘	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R43120	标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	R43120TSM	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1 PMT5927A/TR13	2.2200	RFQ	3636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
SMBJ4746/TR13	0.8700	RFQ	9496	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4746		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JANTXV1N4495CUS/TR	45.2850	RFQ	5164	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4495CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
1N4736AGE3	3.3300	RFQ	3913	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4736AGE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
S16-4150/TR13	3.6150	RFQ	5278	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	S16-4150	标准		16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	8独立	50 V	400mA（DC）	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
JANTXV1N4471US	25.7700	RFQ	1242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4471		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
1N5254BUR-1	2.9400	RFQ	3674	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5254		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
1月1N2819B	-	RFQ	4257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2819		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 16.7 V				22 v	2.5欧姆
1N6932UTK1CS	259.3500	RFQ	1749年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6932UTK1CS			1
CDLL5913B-1	3.9300	RFQ	1459	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL5913B-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
Jan1n759d-1/tr	5.8919	RFQ	6148	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N759D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1N4482C	17.7000	RFQ	2320	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4482C	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 40.8 V				51 v	60欧姆
1N4921	90.1500	RFQ	1769年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4921		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											19.2 v	300欧姆
JANTXV1N746CUR-1	16.5600	RFQ	4894	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N746		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANS1N4621DUR-1	207.1350	RFQ	4415	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
1N5938PE3/TR8	0.9150	RFQ	9705	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5938		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
JANS1N4486C	207.1050	RFQ	6417	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V				75 v	130欧姆
JANTXV1N3032DUR-1/TR	50.5932	RFQ	7891	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3032DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
CDLL4576A	8.6250	RFQ	9186	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4576		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					50欧姆
JANTXV1N962BUR-1	7.5600	RFQ	8042	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N962		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	9.5欧姆
JANTXV1N4616C-1/TR	13.2335	RFQ	4076	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4616C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				2.2 v	1300欧姆
1N4579A-1/TR	29.5200	RFQ	5201	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4579A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
CDLL4617/TR	3.0989	RFQ	5382	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4617/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
JANTXV1N5187/TR	14.8200	RFQ	9972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/424	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5187/TR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.5 V @ 9 A		2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N3045B-1/TR	9.0573	RFQ	5814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3045B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²