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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
S2220	33.4500	RFQ	1234	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S2220			1
UES1101	18.3150	RFQ	6843	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		975 mv @ 2 a	25 ns		-55°C 〜175°C	2a	-
1n6309us	14.7750	RFQ	6417	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6309		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1 PMT4625CE3/TR13	-	RFQ	1252	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4625		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
DT-2350/tr	-	RFQ	9021	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DT-2350/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4980	-	RFQ	8399	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V				82 v	80欧姆
JANTX1N6488DUS/TR	-	RFQ	4273	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTX1N6488DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
SMBG5350C/TR13	2.8650	RFQ	7780	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5350		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 9.4 V				13 V	2.5欧姆
1N2809A	94.8900	RFQ	2703	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2809		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	0.8欧姆
SMBJ5920B/TR13	1.5600	RFQ	1366	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5920		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
1n6331us	14.6400	RFQ	8941	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6331		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
JANTX1N5543B-1	8.5050	RFQ	7435	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5543		500兆	DO-204AH（DO-35）（DO-35）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
1N6345DUS/TR	36.7650	RFQ	8971	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-1N6345DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
APT2X30D100J	24.9600	RFQ	6944	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X30	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1000 v	28a	2.3 V @ 30 A	290 ns	250 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C
1N6548	15.0450	RFQ	7704	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6548				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1 PMT5935/TR13	2.2200	RFQ	7112	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23欧姆
JANTX1N4370DUR-1/TR	25.8153	RFQ	9318	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4370DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANTX1N973C-1/TR	4.7747	RFQ	7387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N973C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 25 V				33 V	58欧姆
1N3005B	37.3500	RFQ	1043	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3005		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V				100 v	40欧姆
JANTXV1N989DUR-1	-	RFQ	4560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1500欧姆
Janhca1n986d	-	RFQ	5599	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n986d	Ear99	8541.10.0050	100					1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 83.6 V				110 v	750欧姆
1N829A-1	8.5800	RFQ	110	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
1N5997C/TR	3.8437	RFQ	5984	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5997C/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 6 V				7.5 v	7欧姆
1 PMT5946AE3/TR7	0.7350	RFQ	7433	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
JANS1N4621DUR-1	207.1350	RFQ	4415	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANS1N4627D-1/TR	71.0904	RFQ	6373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4627D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V				6.2 v	1.2欧姆
JANTX1N5521C-1	16.6200	RFQ	9309	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5521		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
1N5806urs/tr	32.5400	RFQ	3302	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JAN1N755D-1/TR	5.8919	RFQ	9533	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N755D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
1N4248	-	RFQ	1741年	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²