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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDS976B-1	-	RFQ	5341	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS976B-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N6885UTK4	259.3500	RFQ	1753年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-1N6885UTK4			1
Janhca1n981d	-	RFQ	7824	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n981d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V				68 v	230欧姆
1n3611us	8.2200	RFQ	1797年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	下载	到达不受影响	150-1N3611US	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANS1N6333C	358.7400	RFQ	3197	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N6333C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
Jan1n6345c	39.6300	RFQ	6272	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JAN1N6345C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
JANS1N6342C	358.7400	RFQ	8000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N6342C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V				56 v	100欧姆
CD5524	2.2950	RFQ	2778	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD5524	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
1N5243	3.9150	RFQ	2801	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5243	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 9.4 V				13 V	13欧姆
CDLL5525D	16.2000	RFQ	8476	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5525D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
CDS752A-1	-	RFQ	6077	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS752A-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N5518A	2.7150	RFQ	6559	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5518A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v
jankca1n4109	-	RFQ	7584	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4109	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
Jan1n6342c	39.6300	RFQ	1924年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JAN1N6342C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V				56 v	100欧姆
CDLL963D	9.7800	RFQ	5749	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL963D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
UTX225	12.8400	RFQ	8485	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	到达不受影响	150-UTX225	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	250 v	1 V @ 1 A	75 ns	3 µA @ 250 V	-195°C〜175°C	2a	-
1N1582	38.3850	RFQ	7279	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N1582	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANS1N6333CUS	527.5650	RFQ	2411	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N633333CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
1N3511D-1	6.2250	RFQ	4335	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N3511				下载	到达不受影响	150-1N3511D-1	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N6341DUS	527.5650	RFQ	3528	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N6341DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
S306050F	49.0050	RFQ	2250	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S306050F			1
R306010f	49.0050	RFQ	9214	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R306010F			1
CD5521D	-	RFQ	3513	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD5521D	Ear99	8541.10.0050	164			1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
CDLL4732AE3	3.2850	RFQ	9608	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-CDLL4732AE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
UZ7740小时	468.9900	RFQ	9585	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-	到达不受影响	150-UZ7740小时	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 30.4 V				40 V	15欧姆
JANS1N6342DUS	527.5650	RFQ	8342	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N6342DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V				56 v	100欧姆
UZ806	22.4400	RFQ	9778	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ806	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4491D	41.2350	RFQ	6040	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4491D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
1N6872UTK2AS	259.3500	RFQ	9202	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-1N6872UTK2AS			1
JANTXV1N6346C	37.5300	RFQ	6041	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6346C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V				82 v	220欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²