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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
1N5806URS/TR Microchip Technology 1N5806urs/tr 32.5400
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 标准 a，平方米 - 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V，1MHz
1N4989US/TR Microchip Technology 1N4989US/TR 13.1100
RFQ
 ECAD 3671 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w E-Melf - Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
1N3595AUS/TR Microchip Technology 1N3595AUS/TR 9.9200
RFQ
 ECAD 9392 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-213aa 标准 do-213aa - 100 小信号= <200ma（io（io），任何速度 125 v 920 MV @ 100 mA 3 µs 2 NA @ 125 V -65°C〜175°C 150mA 8pf @ 0v，1MHz
1N6633US/TR Microchip Technology 1N6633US/TR 22.2800
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 µA @ 1 V 3.6 v 2.5欧姆
1N4729AUR/TR Microchip Technology 1N4729AUR/TR 3.6200
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
1N5535CUR-1/TR Microchip Technology 1N5535CUR-1/TR 13.1400
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 13.5 V 15 v 100欧姆
1N4121UR-1/TR Microchip Technology 1N4121UR-1/TR 3.9400
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 25.1 V 33 V 200欧姆
1N5946BUR-1/TR Microchip Technology 1N5946BUR-1/TR 4.6800
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1.25 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 209 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 v 140欧姆
1N5541BUR-1/TR Microchip Technology 1N5541Bur-1/tr 6.6300
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 146 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19.8 V 22 v 100欧姆
1N5279BUR-1/TR Microchip Technology 1N5279BUR-1/TR 5.3400
RFQ
 ECAD 1753年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 182 1.1 V @ 200 ma 100 NA @ 137 V 180 v 2200欧姆
1N4748AUR/TR Microchip Technology 1N4748AR/TR 3.6200
RFQ
 ECAD 5184 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 16.7 V 22 v 23欧姆
1N3825AUR-1/TR Microchip Technology 1N3825AR-1/TR 8.9400
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1.5 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 108 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N5236BUR-1/TR Microchip Technology 1N5236BUR-1/TR 3.0900
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 323 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
JAN1N6488CUS/TR Microchip Technology JAN1N6488CUS/TR -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A 下载 150-JAN1N6488CUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JAN1N6485DUS/TR Microchip Technology JAN1N6485DUS/TR -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A 下载 150-JAN1N6485DUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
JANS1N6339DUS/TR Microchip Technology JANS1N6339DUS/TR 527.7150
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JANS1N6339DUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 33 V 43 V 65欧姆
JANTX1N6637US/TR Microchip Technology JANTX1N6637US/TR -
RFQ
 ECAD 1036 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w E-Melf 下载 150-JANTX1N6637US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 5.1 v 1.5欧姆
JANTX1N4465DUS/TR Microchip Technology JANTX1N44465DUS/TR 49.7250
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANTX1N444465DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 300 na @ 8 V 10 v 5欧姆
JANS1N4495CUS/TR Microchip Technology JANS1N4495CUS/TR 283.9800
RFQ
 ECAD 4845 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANS1N444495CUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 V @ 1 A 250 NA @ 144 V 180 v 1300欧姆
JANS1N4961CUS/TR Microchip Technology JANS1N4961CUS/TR 368.3100
RFQ
 ECAD 2105 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - 150-JANS1N4961CUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 3欧姆
JANTX1N989BUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N989BUR-1/TR -
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/117 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 400兆 do-213aa 下载 150-JANTX1N989BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 ma 500 NA @ 114 V 150 v 1500欧姆
JANTXV1N6485CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N6485CUS/TR -
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A 下载 150-JANTXV1N6485CUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
JANS1N4484US/TR Microchip Technology JANS1N4484US/TR 162.1650
RFQ
 ECAD 1561年 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANS1N4484US/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 V @ 1 A 250 NA @ 49.6 V 62 v 80欧姆
JAN1N6309CUS/TR Microchip Technology JAN1N6309CUS/TR 39.2850
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JAN1N6309CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 100 µA @ 1 V 2.4 v 30欧姆
JANTX1N3049BUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N3049BUR-1/TR -
RFQ
 ECAD 1744年 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1.5 w DO-213AB（梅尔，LL41） - 150-JANTX1N3049BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 121.6 V 160 v 1100欧姆
JANTX1N4485DUS/TR Microchip Technology JANTX1N4485DUS/TR 49.7250
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANTX1N444485DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 NA @ 54.4 V 68 v 100欧姆
JAN1N4485CUS/TR Microchip Technology JAN1N4485CUS/TR 27.8250
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JAN1N444485CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 NA @ 54.4 V 68 v 100欧姆
JANS1N6333CUS/TR Microchip Technology JANS1N6333CUS/TR 527.7150
RFQ
 ECAD 5675 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JANS1N6333CUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 A 50 na @ 18 V 24 V 24欧姆
JAN1N6326DUS/TR Microchip Technology JAN1N6326DUS/TR 38.3700
RFQ
 ECAD 7518 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JAN1N6326DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 9 V 12 v 7欧姆
JANTXV1N4981US/TR Microchip Technology JANTXV1N4981US/TR 16.1250
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - 150-JANTXV1N4981US/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 69.2 V 91 v 90欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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