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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3909AR	48.5400	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
1 PMT5946A/TR13	-	RFQ	5020	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 v	140欧姆
CDLL3020	14.7300	RFQ	3379	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3020		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
JANTX1N4986US	-	RFQ	8058	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 114 V				150 v	330欧姆
S3560pf	60.2100	RFQ	1125	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA	S3560	标准		do-21	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 1 A		10 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	35a	-
1N5926A	3.0300	RFQ	7726	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5926		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
JANTX1N976C-1	7.1100	RFQ	1897年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N976		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
JAN1N3024DUR-1/TR	36.2558	RFQ	9442	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3024DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
JANS1N5616US	49.9950	RFQ	3325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
JANTXV1N4962CUS	26.4300	RFQ	3144	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4962CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 11.4 V				15 v	3.5欧姆
JAN1N4123C-1	10.5000	RFQ	5564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4123			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
JANS1N4979DUS	429.5200	RFQ	5121	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4979DUS	Ear99	8541.10.0050	1
SMBJ4750A/TR13	0.8850	RFQ	8590	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4750		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
SMAJ4751AE3/TR13	0.6450	RFQ	9401	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4751		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
1N4109D/tr	6.8894	RFQ	6035	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4109D/tr	Ear99	8541.10.0050	1
LSM150 MELF	-	RFQ	4269	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213ab，Melf	LSM150	肖特基		do-213ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	580 mv @ 1 a		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	-
CDLL5523A/TR	5.9052	RFQ	1975年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5523A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v	26欧姆
JANS1N4957C	231.0000	RFQ	6481	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4957C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
CDS5526BUR-1	-	RFQ	4691	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5526BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
R53140T	158.8200	RFQ	2017	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R53140T			1
CDLL5244A	2.8650	RFQ	3302	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5244		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 10 V				14 V	15欧姆
Jan1n4114c-1	10.5000	RFQ	6892	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4114			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
1N3309A	49.3800	RFQ	1914年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3309		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.7 V				10 v	0.6欧姆
JANTX1N4614DUR-1/TR	-	RFQ	6486	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANTX1N4614DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
JAN1N6634CUS	-	RFQ	2929	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
1N6353US/TR	17.9600	RFQ	2200	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-					Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V				160 v	1200欧姆
JANTX1N4480US/TR	16.6200	RFQ	7979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTX1N4480US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
CDS4148UR-1	-	RFQ	7501	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDS4148UR-1	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N3039CUR-1	37.3500	RFQ	9672	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3039		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆
Jan1n748a-1	2.0250	RFQ	4147	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N748		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²