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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n3909r	-	RFQ	3655	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
CD759B	1.6950	RFQ	8083	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD759B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
JAN1N5543CUR-1	28.9200	RFQ	9173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JANTX1N4960DUS/TR	32.4000	RFQ	1940年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4960DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	2.5欧姆
1月1N2809RB	-	RFQ	8499	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2809		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	0.8欧姆
1N1674	158.8200	RFQ	8712	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N1674	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 300 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JAN1N4465CUS	26.7600	RFQ	2643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4465		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
R414	102.2400	RFQ	9643	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R414			1
JAN1N6336DUS/TR	49.8300	RFQ	5176	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6336DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
JAN1N3049B-1	-	RFQ	3297	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13			1 w	DO-13（do-202AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
CDLL4918	121.1400	RFQ	4815	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4918		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 v	600欧姆
JANTXV1N647-1	-	RFQ	6155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N647	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	400mA	-
1N3266R	158.8200	RFQ	5558	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3266	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3266RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	350 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 350 V	-65°C 〜190°C	275a	-
Jan1n3671r	56.9250	RFQ	2564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3671	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 800 V	-65°C〜150°C	12a	-
JANTXV1N747CUR-1	21.4800	RFQ	5558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N747		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1月1N986CUR-1	11.3850	RFQ	4781	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N986		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 84 V				110 v	750欧姆
Jan1n6340us/tr	16.0800	RFQ	4270	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6340US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V				47 V	75欧姆
Jan1n6344us	15.9300	RFQ	4731	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6344		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
CDLL485B	3.5850	RFQ	8379	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	CDLL485	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	CDLL485B-MIL	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma		100 µA @ 180 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N4129UR-1/TR	8.5652	RFQ	8570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4129UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V				62 v	500欧姆
1N1127AR	38.3850	RFQ	4585	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1127	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	12a	-
Janhca1n751c	-	RFQ	7389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n751c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				5.1 v	17欧姆
JANTXV1N6339CUS	57.1050	RFQ	9100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6339CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 33 V				43 V	65欧姆
JANTXV1N2999B	-	RFQ	8784	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2999		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 42.6 V				56 v	16欧姆
JANTX1N4127UR-1/TR	8.5652	RFQ	6258	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4127UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
JANTXV1N2979RB	-	RFQ	4720	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	3欧姆
Jan1n5711ub	19.5750	RFQ	7256	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
1n6018ur	3.5850	RFQ	3530	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6018				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT5952CE3/TR7	0.7350	RFQ	4969	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V				130 v	450欧姆
JAN1N6328CUS	63.7050	RFQ	1940年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6328CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²