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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL5277C	6.7200	RFQ	1719年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa			do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5277C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 116 V				160 v	1700欧姆
Janhca1n5543c	-	RFQ	6155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5543c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JAN1N6328DUS	38.2200	RFQ	2471	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6328DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
jankca1n5526c	-	RFQ	7713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5526C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANS1N4956C	231.0000	RFQ	1202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANS1N4956C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTX1N6341C	29.2350	RFQ	6224	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTX1N6341C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
jankca1n4132c	-	RFQ	4034	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4132C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 62.32 V				82 v	800欧姆
Jan1n5195us	27.0900	RFQ	4237	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	标准		do-213aa	-	到达不受影响	150-JAN1N5195US	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma	5 µA @ 180 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N4965D	27.0600	RFQ	4985	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4965D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 15.2 V				20 v	4.5欧姆
CD957A	2.4450	RFQ	6161	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD957A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 5.2 V				6.8 v	4.5欧姆
UZ5709	32.2650	RFQ	6306	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5709	Ear99	8541.10.0050	1				100 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
CDLL5223C	6.7200	RFQ	5579	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5223C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N4964CUS	13.2150	RFQ	9887	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-1N4964CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
CDLL4981	11.1450	RFQ	4704	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL4981	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL2.80V	22.0950	RFQ	2522	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL2.80V			1
R43100T	102.2400	RFQ	6827	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R43100TS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 200 A	50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	150a	-
CD755	1.6950	RFQ	2184	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD755	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
R42120A	102.2400	RFQ	1863年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R42120A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.2 V @ 200 A	50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	125a	-
1N4618UR3	3.6000	RFQ	1454	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	到达不受影响	150-1N4618URE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANTXV1N4483CUS	45.1350	RFQ	2805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4483CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
jankca1n4119c	-	RFQ	7456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4119c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 21.28 V				28 V	200欧姆
1N6338C	14.5350	RFQ	2899	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N6338C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 30 V				39 v	55欧姆
jankca1n4122c	-	RFQ	9565	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4122c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆
CDLL5554	12.2400	RFQ	5618	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL5554	Ear99	8541.10.0050	1
1N3970	62.1150	RFQ	7491	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N3970	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.25 V @ 200 A	25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTX1N6334CUS	39.7950	RFQ	5090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6334CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 21 V				27 V	27欧姆
JANTXV1N6327D	45.0600	RFQ	3169	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6327D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 9.9 V				13 V	8欧姆
JANTXV1N6331C	37.5300	RFQ	3740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6331C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 15 V				20 v	18欧姆
1N2495	44.1600	RFQ	2904	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	标准		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N2495	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 30 A	10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	6a	-
1N4989CUS	25.8900	RFQ	2472	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-1N4989CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 152 V				200 v	500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²