RFQ
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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6317DUS	36.5850	RFQ	1075	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-1N6317DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
UZ5126SM	32.2650	RFQ	5260	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	B，平方米	-	到达不受影响	150-UZ5126SM	Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 198 V				260 v	750欧姆
CDS3826B-1	-	RFQ	4192	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDS3826B-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N6912UTK2CS	259.3500	RFQ	3730	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2	SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	到达不受影响	150-1N6912UTK2CS	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）		45 v		640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
UES2602HR2	160.6350	RFQ	6316	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	标准		TO-204AA（TO-3）	-	到达不受影响	150-ues2602hr2	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
Jan1n6330 cus	63.7050	RFQ	4155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6330 CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
UFR72100	101.8500	RFQ	3154	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		DO-203AB（DO-5）	-	到达不受影响	150-UFR72100	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1000 v		1.35 V @ 70 A	75 ns	25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	70a	150pf @ 10V，1MHz
1N5530A	1.8150	RFQ	1591年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N55330A	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 8 V				10 v
Janhca1n5529d	-	RFQ	2054	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5529d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
JANS1N6632	-	RFQ	1089	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANS1N6632	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V				3.3 v	3欧姆
JANTXV1N4956DUS	33.0450	RFQ	6049	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4956DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
CDLL5277C	6.7200	RFQ	1719年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa			do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5277C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V				160 v	1700欧姆
Janhca1n5543c	-	RFQ	6155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5543c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JAN1N6328DUS	38.2200	RFQ	2471	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6328DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
jankca1n5526c	-	RFQ	7713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5526C	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANS1N4956C	231.0000	RFQ	1202	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANS1N4956C	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTX1N6341C	29.2350	RFQ	6224	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTX1N6341C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
jankca1n4132c	-	RFQ	4034	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4132C	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.32 V				82 v	800欧姆
Jan1n5195us	27.0900	RFQ	4237	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	标准		do-213aa	-	到达不受影响	150-JAN1N5195US	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		180 v		1 V @ 100 ma		5 µA @ 180 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N4965D	27.0600	RFQ	4985	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4965D	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 15.2 V				20 v	4.5欧姆
CD957A	2.4450	RFQ	6161	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD957A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	4.5欧姆
UZ5709	32.2650	RFQ	6306	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5709	Ear99	8541.10.0050	1							100 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
CDLL5223C	6.7200	RFQ	5579	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5223C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N4964CUS	13.2150	RFQ	9887	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-1N4964CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
CDLL4981	11.1450	RFQ	4704	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL4981	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL2.80V	22.0950	RFQ	2522	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL2.80V			1
R43100T	102.2400	RFQ	6827	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R43100TS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	150a	-
CD755	1.6950	RFQ	2184	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD755	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
R42120A	102.2400	RFQ	1863年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R42120A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	125a	-
1N4618UR3	3.6000	RFQ	1454	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	到达不受影响	150-1N4618URE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²