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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4962CUS	343.6210	RFQ	5344	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4962CUS	Ear99	8541.10.0050	1
Janhca1n4615	6.0914	RFQ	5672	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4615	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
1N5237	3.9150	RFQ	7089	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5237	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 6.2 V				8.2 v	8欧姆
1N2996B	-	RFQ	1776年	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2996		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N2996B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 36 V				50 V	15欧姆
1N1187A	74.5200	RFQ	6297	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1187	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1n1187ams	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTXV1N2824B	-	RFQ	2183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2824		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 25.1 V				33 V	3.2欧姆
1 PMT5948BE3/TR7	0.7350	RFQ	3110	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V				91 v	200欧姆
JAN1N4107D-1	11.2800	RFQ	9718	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4107			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				13 V	200欧姆
Jan1n4470d	25.4550	RFQ	1717年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4470		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
JANS1N4981DUS	429.5200	RFQ	4797	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4981DUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4120CUR-1	24.3150	RFQ	3763	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4120		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200欧姆
1N4700	4.3050	RFQ	3923	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.8 V				13 V
1N5533CUR-1	12.9600	RFQ	7284	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5533CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
CDLL5936C	7.8450	RFQ	5092	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5936		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
S3490	49.0050	RFQ	2109	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S3490			1
Jan1n6352us	-	RFQ	4218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V				141 v	1000欧姆
Jan1n4996cus	-	RFQ	1310	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
CD1A100	6.2250	RFQ	1046	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD1A100	Ear99	8541.10.0040	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		750 MV @ 1 A		100 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	1a	-
1N5232A	1.8600	RFQ	6802	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 2.9 V				5.6 v	11欧姆
JANTXV1N6316CUS	54.8400	RFQ	1384	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
1N5519/tr	2.8950	RFQ	4030	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5519/tr	Ear99	8541.10.0050	325					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v
CDLL4693	3.3000	RFQ	8887	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4693		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.7 V				7.5 v
1 PMT5940/TR7	2.2200	RFQ	9102	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
JANS1N5806US/TR	19.2150	RFQ	2462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5806US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
R711	55.6500	RFQ	7646	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	R711	标准		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	15a	1.4 V @ 15 A	200 ns	5 ma @ 100 V	-65°C〜150°C
JANTX1N974C-1/TR	6.5436	RFQ	6485	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N974C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 27 V				36 V	70欧姆
1N4746AG/TR	3.8400	RFQ	5296	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4746AG/TR	Ear99	8541.10.0050	246					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N2970D	184.9050	RFQ	4202	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2970		10 W	DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2970D	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	1.2欧姆
JANTXV1N6339US	22.3050	RFQ	9428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6339		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 33 V				43 V	65欧姆
JAN1N4957CUS/TR	22.7100	RFQ	9503	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4957CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²