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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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JANS1N4471US | - | ![]() | 5269 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 14.4 V | 18 V | 11欧姆 | ||||||||||
![]() | JANS1N4615UR-1 | - | ![]() | 4678 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1250欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N4627UR-1 | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200欧姆 | |||||||||
JANS1N4971US | 88.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4971 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | |||||||||
JANS1N4972US | 86.7300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 29.7 V | 39 v | 14欧姆 | ||||||||||
![]() | JANS1N6314US | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N6320 | 234.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 6.8 V | 6.8 v | 3欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N1190 | 62.0700 | ![]() | 1411 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/297 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1190 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||
JANTX1N3016B-1 | 9.9900 | ![]() | 4353 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3016 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 3.5欧姆 | |||||||||
JANTX1N3070-1 | 99.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/169 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N3070 | 标准 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 175 v | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 175 V | -65°C〜175°C | 100mA | - | |||||||
JANTX1N3164 | - | ![]() | 6463 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/211 | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.55 V @ 940 A | 10 mA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 300A | - | |||||||||
JANTX1N3826A-1 | 8.6100 | ![]() | 4659 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3826 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 v | 7欧姆 | |||||||||
JANTX1N3828A-1 | - | ![]() | 1982 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 3 V | 6.2 v | 2欧姆 | ||||||||||
JANTX1N3890 | 296.4000 | ![]() | 9697 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/304 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N3890 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.5 V @ 20 A | 200 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 12a | 115pf @ 10V,1MHz | |||||||
JANTXV1N4099-1 | 8.0550 | ![]() | 2216 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4099 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 200欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N4103UR-1 | 12.9450 | ![]() | 7265 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4103 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 7 V | 9.1 v | 200欧姆 | ||||||||
JANTXV1N4150-1 | 2.8350 | ![]() | 2698 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/231 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4150 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||||||
![]() | JANTXV1N4150UR-1 | 4.1550 | ![]() | 9150 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/231 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N4150 | 标准 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||
JANTXV1N4465 | 12.0150 | ![]() | 1969年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4465 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 300 na @ 8 V | 10 v | 5欧姆 | |||||||||
JANTXV1N4467US | - | ![]() | 7899 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 200 na @ 9.6 V | 12 v | 7欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTXV1N4624UR-1 | 14.9250 | ![]() | 6588 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4624 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 v | 1550年 | ||||||||
![]() | JANTXV1N4625UR-1 | 12.6000 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4625 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | ||||||||
JANTXV1N5711-1 | 33.9300 | ![]() | 7228 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5711 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||
![]() | JANTXV1N5819-1 | 15.8100 | ![]() | 8521 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/586 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5819 | 肖特基 | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 490 mv @ 1 A | 50 µA @ 45 V | -65°C〜125°C | 1a | 70pf @ 5V,1MHz | |||||||
JANTXV1N6322U | 39.7350 | ![]() | 5550 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6322 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5欧姆 | |||||||||
JANTXV1N6492 | - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/567 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | to-205af金属罐 | 1N6492 | 肖特基 | to-205af(39) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 560 mv @ 2 a | 2 ma @ 45 V | -65°C〜175°C | 3.6a | 450pf @ 5V,1MHz | ||||||||
![]() | JANTXV1N6677UR-1 | - | ![]() | 4468 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/610 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N6677 | 肖特基 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 500 mV @ 200 ma | 5 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 200mA | 50pf @ 0v,1MHz | |||||||
JANTXV1N751A-1 | 7.1700 | ![]() | 1958年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N751 | 500兆 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14欧姆 | |||||||||
JANTXV1N758A-1 | 5.1150 | ![]() | 4853 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N758 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 8 V | 10 v | 7欧姆 | |||||||||
JANTXV1N759A-1 | - | ![]() | 1067 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9 V | 12 v | 10欧姆 |
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