SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANS1N4471US Microchip Technology JANS1N4471US -
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 14.4 V 18 V 11欧姆
JANS1N4615UR-1 Microchip Technology JANS1N4615UR-1 -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2.5 µA @ 1 V 2 v 1250欧姆
JANS1N4627UR-1 Microchip Technology JANS1N4627UR-1 -
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 5 V 6.2 v 1200欧姆
JANS1N4971US Microchip Technology JANS1N4971US 88.5000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4971 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
JANS1N4972US Microchip Technology JANS1N4972US 86.7300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 29.7 V 39 v 14欧姆
JANS1N6314US Microchip Technology JANS1N6314US -
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 5 w B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
JANS1N6320 Microchip Technology JANS1N6320 234.0000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 2 µA @ 6.8 V 6.8 v 3欧姆
JANTX1N1190 Microchip Technology JANTX1N1190 62.0700
RFQ
ECAD 1411 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/297 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1190 标准 do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 35a -
JANTX1N3016B-1 Microchip Technology JANTX1N3016B-1 9.9900
RFQ
ECAD 4353 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3016 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 150 µA @ 5.2 V 6.8 v 3.5欧姆
JANTX1N3070-1 Microchip Technology JANTX1N3070-1 99.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/169 大部分 积极的 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N3070 标准 do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 175 v 1 V @ 100 ma 50 ns 100 NA @ 175 V -65°C〜175°C 100mA -
JANTX1N3164 Microchip Technology JANTX1N3164 -
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/211 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.55 V @ 940 A 10 mA @ 200 V -65°C 〜200°C 300A -
JANTX1N3826A-1 Microchip Technology JANTX1N3826A-1 8.6100
RFQ
ECAD 4659 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3826 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
JANTX1N3828A-1 Microchip Technology JANTX1N3828A-1 -
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 3 V 6.2 v 2欧姆
JANTX1N3890 Microchip Technology JANTX1N3890 296.4000
RFQ
ECAD 9697 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/304 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3890 标准 do-203aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 20 A 200 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜175°C 12a 115pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N4099-1 Microchip Technology JANTXV1N4099-1 8.0550
RFQ
ECAD 2216 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4099 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 v 200欧姆
JANTXV1N4103UR-1 Microchip Technology JANTXV1N4103UR-1 12.9450
RFQ
ECAD 7265 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4103 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 7 V 9.1 v 200欧姆
JANTXV1N4150-1 Microchip Technology JANTXV1N4150-1 2.8350
RFQ
ECAD 2698 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/231 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4150 标准 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 200mA -
JANTXV1N4150UR-1 Microchip Technology JANTXV1N4150UR-1 4.1550
RFQ
ECAD 9150 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/231 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N4150 标准 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -65°C〜175°C 200mA -
JANTXV1N4465 Microchip Technology JANTXV1N4465 12.0150
RFQ
ECAD 1969年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4465 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 300 na @ 8 V 10 v 5欧姆
JANTXV1N4467US Microchip Technology JANTXV1N4467US -
RFQ
ECAD 7899 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 200 na @ 9.6 V 12 v 7欧姆
JANTXV1N4624UR-1 Microchip Technology JANTXV1N4624UR-1 14.9250
RFQ
ECAD 6588 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4624 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 4.7 v 1550年
JANTXV1N4625UR-1 Microchip Technology JANTXV1N4625UR-1 12.6000
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4625 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
JANTXV1N5711-1 Microchip Technology JANTXV1N5711-1 33.9300
RFQ
ECAD 7228 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5711 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 15 mA 200 na @ 50 V -65°C〜150°C 33ma 2pf @ 0v,1MHz
JANTXV1N5819-1 Microchip Technology JANTXV1N5819-1 15.8100
RFQ
ECAD 8521 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/586 大部分 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5819 肖特基 do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 490 mv @ 1 A 50 µA @ 45 V -65°C〜125°C 1a 70pf @ 5V,1MHz
JANTXV1N6322US Microchip Technology JANTXV1N6322U 39.7350
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,b 1N6322 500兆 B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 6 V 8.2 v 5欧姆
JANTXV1N6492 Microchip Technology JANTXV1N6492 -
RFQ
ECAD 1255 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/567 大部分 积极的 通过洞 to-205af金属罐 1N6492 肖特基 to-205af(39) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 560 mv @ 2 a 2 ma @ 45 V -65°C〜175°C 3.6a 450pf @ 5V,1MHz
JANTXV1N6677UR-1 Microchip Technology JANTXV1N6677UR-1 -
RFQ
ECAD 4468 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/610 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 1N6677 肖特基 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 40 V 500 mV @ 200 ma 5 µA @ 40 V -65°C〜125°C 200mA 50pf @ 0v,1MHz
JANTXV1N751A-1 Microchip Technology JANTXV1N751A-1 7.1700
RFQ
ECAD 1958年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N751 500兆 - 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 14欧姆
JANTXV1N758A-1 Microchip Technology JANTXV1N758A-1 5.1150
RFQ
ECAD 4853 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N758 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 8 V 10 v 7欧姆
JANTXV1N759A-1 Microchip Technology JANTXV1N759A-1 -
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9 V 12 v 10欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库