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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N6634C	-	RFQ	2341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
JANTXV1N983DUR-1	24.2250	RFQ	1750	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N983		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
ST3080D	63.3000	RFQ	6146	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3080	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3080D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	800 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C
JANTXV1N3043C-1	38.0400	RFQ	4273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3043		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
JANTXV1N6327	14.6700	RFQ	4962	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6327		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V				13 V	8欧姆
JANTX1N6332	-	RFQ	3696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆
jankca1n753c	-	RFQ	2377	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Jankca1n753c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				6.2 v	7欧姆
CD4565A	4.3050	RFQ	5656	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4565A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JAN1N555538C-1	11.0400	RFQ	9478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5538		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100欧姆
JANS1N6325US	134.8050	RFQ	1374	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V				11 V	7欧姆
1 PMT4123E3/TR13	0.4950	RFQ	3877	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4123		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
1月1N969DUR-1	14.2500	RFQ	7455	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N969		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V				22 v	29欧姆
JANTX1N7052-1	8.8950	RFQ	2050	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N984BUR-1/TR	6.8495	RFQ	6194	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N984BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 69 V				91 v	400欧姆
JANTX1N6857-1	-	RFQ	9714	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		20 v		350 mv @ 1 mA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA
JAN1N3824CUR-1	35.5200	RFQ	4046	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3824		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
JANTX1N4622UR-1/TR	8.1662	RFQ	6504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4622UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
S8-4148/TR13	3.3600	RFQ	6314	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	S8-4148	标准		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	4独立	75 v	400mA（DC）	1.2 V @ 100 ma	5 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
CD972B	1.5029	RFQ	9276	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD972B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
CDLL5951D	23.5050	RFQ	5406	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5951		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
1N5985UR-1	3.5850	RFQ	3710	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N5985				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4963US	92.9250	RFQ	9397	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5欧姆
R20160	33.4500	RFQ	4358	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R20160			1
CD6335	2.1014	RFQ	7912	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6335	Ear99	8541.10.0050	1
SMBG5364B/TR13	2.2500	RFQ	6807	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5364		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 23.8 V				33 V	10欧姆
JANS1N5614/TR	31.9800	RFQ	6747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5614/TR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JANS1N821-1/TR	102.8550	RFQ	1717年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N821-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
LSM845G/TR13	1.9500	RFQ	7847	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	LSM845	肖特基		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		520 mv @ 8 a		2 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	8a	-
1N5991CE3	3.4846	RFQ	1784年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5991CE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	88欧姆
CD5222B	2.2743	RFQ	7853	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5222B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²