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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5526A	1.6093	RFQ	1403	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5526A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v
JANTXV1N756C-1/TR	10.2410	RFQ	4384	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N756C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6 V				8.2 v	8欧姆
JANTXV1N3027BUR-1/TR	16.1196	RFQ	7772	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3027BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
JANTXV1N3041B-1	11.8800	RFQ	3036	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 56 V				75 v	175欧姆
1N5278/tr	3.3900	RFQ	8379	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5278/tr	Ear99	8541.10.0050	280			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 123 V				170 v	1900欧姆
1N748C	4.3050	RFQ	2923	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N748C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
1N5241	3.9150	RFQ	7618	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5241	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 8 V				11 V	22欧姆
JANS1N4120-1	32.4800	RFQ	393	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4120		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200欧姆
1N5275BE3	2.9260	RFQ	6356	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5275BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 106 V				140 v	1300欧姆
JAN1N5526DUR-1/TR	41.1768	RFQ	5928	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5526DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
JANTX1N6315	-	RFQ	3205	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	18欧姆
CD5221	2.5650	RFQ	4175	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5221	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANS1N4468DUS/TR	330.4050	RFQ	6542	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4468DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 10.4 V				13 V	8欧姆
1N3595US	10.4000	RFQ	7642	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N3595	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜150°C	4a	-
1N740	2.0700	RFQ	3463	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N740		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									120 v	570欧姆
1N5372B/TR8	2.6850	RFQ	4136	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
JANTXV1N5523D-1	29.2200	RFQ	1725年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5523		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 v	26欧姆
JANTXV1N4622-1	5.7750	RFQ	8735	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4622		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
JANS1N4618CUR-1/TR	154.6904	RFQ	7439	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4618CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1.5欧姆
JANTX1N5543C-1/TR	19.4313	RFQ	3078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5543C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
1月1N985DUR-1/tr	12.7680	RFQ	3628	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N985DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
R43140	102.2400	RFQ	5608	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R43140	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
UZ5117	32.2650	RFQ	3984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5117	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 129 V				170 v	380欧姆
1N945B-1	36.9600	RFQ	3151	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N945		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
1N5368/TR8	2.6250	RFQ	9630	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5368		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 33.8 V				47 V	25欧姆
JANTX1N2977RB	-	RFQ	8568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 9.9 V				13 V	3欧姆
ST3010	63.3000	RFQ	4739	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3010	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	15a	-
1N4584-1	26.9100	RFQ	5481	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4584		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N5618	4.1600	RFQ	1392	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5618	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1 PMT5927CE3/TR13	0.7350	RFQ	3170	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²