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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3828A-1/TR	5.6791	RFQ	4566	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N3828A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 3 V				6.2 v	2欧姆
1N5819-1E3	8.1900	RFQ	6277	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N5819-1E3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
JANS1N6309US/TR	125.9508	RFQ	8139	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N6309US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
jankca1n5521b	-	RFQ	5518	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Jankca1n5521b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
1N4733AURE3	3.2718	RFQ	5721	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			1 w	DO-5（do-203ab）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4733AURE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
JANS1N4123C-1/TR	63.1902	RFQ	8652	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4123C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
JANTXV1N829UR-1/TR	33.2250	RFQ	6025	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N829UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
jankca1n5544b	-	RFQ	7719	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANKCA1N5544B	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100欧姆
JANTX1N4624C-1/TR	10.0149	RFQ	6046	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4624C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
CD4454	1.2635	RFQ	9517	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		标准		死	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD4454	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
JANTXV1N5539CUR-1/TR	44.0363	RFQ	9316	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N5539CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
CDLL4905A/TR	59.5200	RFQ	7121	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4905A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	100欧姆
JANTX1N3022C-1/TR	23.4346	RFQ	8108	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3022C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
BZV55C75/tr	2.7664	RFQ	3565	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-BZV55C75/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 52.2 V				75 v
JANTX1N970B-1/TR	2.1147	RFQ	1650	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N970B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V				24 V	33欧姆
CDLL4902A/TR	116.5350	RFQ	1726年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4902A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	200欧姆
JAN1N4121D-1/TR	11.7838	RFQ	3839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4121D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1N4735AG/TR	3.3383	RFQ	2634	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4735AG/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N3034CUR-1/TR	29.0339	RFQ	2529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N3034CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1N5921b/tr	2.8462	RFQ	3630	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.25 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N5921b/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 v	2.5欧姆
CDLL5256/tr	2.7132	RFQ	5149	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5256/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 23 V				30 V	49欧姆
Janhca1n4109	13.2734	RFQ	5143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n4109	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
JANTXV1N3040C-1/TR	33.8618	RFQ	7051	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N3040C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
JANTX1N3026B-1/TR	8.9908	RFQ	2966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3026B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N5615E3	4.9050	RFQ	5728	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N5615E3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.6 V @ 3 A	150 ns	500 na @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	45pf @ 12V，1MHz
1N4740DGE3	8.5652	RFQ	6987	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4740DGE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
JANS1N4104DUR-1/TR	137.5900	RFQ	1860年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4104DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
CDLL5530/tr	5.9052	RFQ	7612	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5530/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 8 V				10 v	60欧姆
JANTXV1N990BUR-1/TR	-	RFQ	7269	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N990BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V				160 v	1.7欧姆
1N5968US/TR	60.5815	RFQ	7172	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N5968US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²