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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n6333us	15.9300	RFQ	3538	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6333		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
JANTX1N6320C	31.8300	RFQ	6219	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6320		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
JANTX1N5525D-1	22.9650	RFQ	4690	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5525		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
UPR60/TR13	8.2350	RFQ	1458	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR60	标准		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.6 V @ 2 A	30 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	2a	-
JANTX1N5524C-1	-	RFQ	7145	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	在sic中停产	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
SMBJ5379AE3/TR13	0.8100	RFQ	4448	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5379		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 79.2 V				110 v	125欧姆
JANTX1N3344B	-	RFQ	5555	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 v	50欧姆
Jan1n5618us	-	RFQ	1732年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
UZ5132	32.2650	RFQ	9071	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5132	Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 243 V				320 v	1100欧姆
jankca1n4101	-	RFQ	7303	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4101	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.24 V				8.2 v	200欧姆
1N5942CPE3/TR8	1.2000	RFQ	4290	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5942		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V				51 v	70欧姆
JANTXV1N4102D-1/TR	25.8153	RFQ	5317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4102D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
MSCDC200KK120D1PAG	244.2900	RFQ	2	微芯片技术	-	盒子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC200	SIC （碳化硅）		D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC200KK120D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	200a	1.8 V @ 200 A	0 ns	800 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C
JANTXV1N6631/TR	26.9100	RFQ	3829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准		e-pak	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6631/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1100 v		1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
SMBJ5918A/TR13	1.5600	RFQ	6999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5918		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
Jan1n4464us	10.4550	RFQ	8676	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4464		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		300 NA @ 5.46 V				9.1 v	4欧姆
R50460T	158.8200	RFQ	3017	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-R50460T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	300A	-
SMBJ5342BE3/TR13	0.8250	RFQ	5692	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5342		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 4.9 V				6.8 v	1欧姆
1N3742R	158.8200	RFQ	5013	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3742R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N2274	74.5200	RFQ	5110	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2274	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	6a	-
Jan1n5537b-1	5.5200	RFQ	8729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5537		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
CDLL5238	2.8650	RFQ	3278	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5238		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 v	8欧姆
1 PMT4102CE3/TR7	0.4950	RFQ	7342	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.61 V				8.7 v	200欧姆
UFS515JE3/TR13	1.8900	RFQ	6347	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS515	标准		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		950 mv @ 5 a	30 ns	10 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	5a	-
JANTX1N2980B	-	RFQ	2559	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2980		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 12.2 V				16 V	4欧姆
JANTX1N4967CUS/TR	24.7500	RFQ	8185	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4967CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
1N2830A	94.8900	RFQ	6737	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2830		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38 V				50 V	5欧姆
1N5956BE3	3.5850	RFQ	4610	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.19 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N5956BE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V				200 v	1200欧姆
SMBG5361C/TR13	2.8650	RFQ	9756	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5361		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆
1N5535/tr	1.9950	RFQ	5102	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5535/tr	Ear99	8541.10.0050	477					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.5 V				15 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²