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JANTX1N4115-1 | 4.4250 | ![]() | 3912 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4115 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 16.8 V | 22 v | 150欧姆 | |||||||||
JANTX1N4120-1 | 5.7300 | ![]() | 1760年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4120 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200欧姆 | |||||||||
JANTX1N4122-1 | 6.4200 | ![]() | 4224 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4122 | 500兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200欧姆 | |||||||||
JANTX1N4370A-1 | 4.3200 | ![]() | 6025 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4370 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N4370AUR-1 | 9.3150 | ![]() | 4001 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4370 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30欧姆 | ||||||||
JANTX1N4372A-1 | 8.7450 | ![]() | 4828 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4372 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | |||||||||
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JANTX1N4472US | 14.4900 | ![]() | 6706 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4472 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 16 V | 20 v | 650欧姆 | |||||||||
JANTX1N4473 | 10.9500 | ![]() | 5282 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4473 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 17.6 V | 22 v | 14欧姆 | |||||||||
JANTX1N4481 | 11.5500 | ![]() | 6784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4481 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 37.6 V | 47 V | 50欧姆 | |||||||||
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JANTX1N4568A-1 | 7.6950 | ![]() | 7842 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4568 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N4582A-1 | - | ![]() | 4319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | ||||||||||
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![]() | JANTX1N4622UR-1 | 9.0450 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4622 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650年 | ||||||||
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![]() | JANTX1N5524BUR-1 | 14.7600 | ![]() | 9594 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N5524 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 3.5 V | 5.6 v | 30欧姆 | ||||||||
JANTX1N5525B-1 | 7.1700 | ![]() | 9558 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5525 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30欧姆 | |||||||||
JANTX1N5532B-1 | 6.1500 | ![]() | 3852 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5532 | 500兆 | DO-204AH(DO-35)(DO-35) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 10.8 V | 12 v | 90欧姆 | |||||||||
JANTX1N5536B-1 | 6.8550 | ![]() | 7859 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5536 | 500兆 | DO-204AH(DO-35)(DO-35) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100欧姆 | |||||||||
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JANTX1N6322U | 18.0900 | ![]() | 4303 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6322 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5欧姆 | |||||||||
JANTX1N6488US | - | ![]() | 4043 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 |
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