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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
SMBG5361B/TR13	2.2500	RFQ	7078	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5361		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆
1N5226B	1.8600	RFQ	7703	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5226		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5226BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
JANS1N6634CUS/TR	-	RFQ	6792	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANS1N666634CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	2欧姆
JANTXV1N4565A-1/TR	6.1500	RFQ	4415	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4565A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANTX1N444483CUS/TR	36.8850	RFQ	1154	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444483CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
CDLL4704C/TR	7.5450	RFQ	8518	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4704C/TR	Ear99	8541.10.0050	125			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 12.9 V				17 V
1N5352AE3/TR13	0.9900	RFQ	9311	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V				15 v	2.5欧姆
JANTX1N4975	7.4200	RFQ	460	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4975		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 38.8 V				51 v	27欧姆
1N5275BE3	2.9260	RFQ	6356	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5275BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 106 V				140 v	1300欧姆
1N6323US/TR	14.8200	RFQ	7330	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-1N6323US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V				9.1 v	6欧姆
JANS1N6491US/TR	-	RFQ	5515	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANS1N6491US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V				5.6 v	5欧姆
JAN1N4476CUS/TR	27.8250	RFQ	5356	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4476CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V				30 V	20欧姆
JANTXV1N6347DUS	68.5500	RFQ	3375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6347DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
CD5266B	1.4497	RFQ	5399	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5266B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 52 V				68 v	230欧姆
Jan1n3330b	-	RFQ	2378	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3330		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 35.8 V				47 V	5欧姆
1N5943AP/TR12	1.8600	RFQ	4822	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5943		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
JANTXV1N969BUR-1	7.5600	RFQ	6571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N969		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V				22 v	29欧姆
JANS1N4120-1/TR	31.6700	RFQ	4027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4120-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200欧姆
CDLL4625C	6.0450	RFQ	8817	微芯片技术	-	包	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4625		500兆	do-213aa	-			到达不受影响	CDLL4625CMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
1N6700US	30.9300	RFQ	9915	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，c	1N6700	肖特基		D-5C	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	470 mv @ 5 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	5a	-
1N1583	38.3850	RFQ	8953	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N1583	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	16a	-
CD5330b	5.6700	RFQ	7429	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CD5330B	Ear99	8541.10.0050	1
1N5373A/TR8	2.6250	RFQ	6375	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
JANTXV1N964BUR-1	7.5600	RFQ	1428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
Jan1n4618ur-1	6.5550	RFQ	5130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4618		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANTXV1N4102D-1/TR	25.8153	RFQ	5317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4102D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
1N5829	45.6750	RFQ	2656	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5829	肖特基		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5829MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	440 mv @ 25 A		3 ma @ 20 V	-65°C〜125°C	25a	1650pf @ 5V，1MHz
CDLL6012B	2.7150	RFQ	7379	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL6012B	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	88欧姆
1N3970	62.1150	RFQ	7491	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N3970	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTXV1N5553US	17.4150	RFQ	3351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 9 A	2 µs		-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²